東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu),耐壓600V,適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品,于今日開始批量出貨。 通... (來(lái)源:新品頻道)
東芝 600V N溝道功率MOSFET 2023-6-13 11:45
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 現(xiàn)開始分銷Qorvo的PAC5556電源應(yīng)用控制器。PAC5556混合信號(hào)片上系統(tǒng) (SoC) 在緊湊的封裝中提供了智能電源控制功能和出色的功率密度,為設(shè)計(jì)人員提供了更為強(qiáng)大的性能、可靠性和能源效率,同時(shí)還降低了多達(dá)35%的物料清單成本。 貿(mào)澤備貨的Qorvo PAC5556電源應(yīng)用控制器... (來(lái)源:新品頻道)
貿(mào)澤電子QorvoPAC5556電源應(yīng)用控制器 2020-3-9 15:36
意法半導(dǎo)體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)600V N溝道功率MOSFET和IGBT管,穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)水平,可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓,邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi),處于同級(jí)產(chǎn)品一流水平。 STDRIVE601內(nèi)置智能關(guān)斷電路,可提高保護(hù)功能的啟動(dòng)速度,在檢測(cè)到過(guò)載或短路后,立即關(guān)閉柵極驅(qū)動(dòng)器輸... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
STDRIVE601三相柵極驅(qū)動(dòng)器 2019-7-17 14:58
服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度,因此要獲得成功,設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價(jià)比解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品,幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑... (來(lái)源:新品頻道)
飛兆半導(dǎo)體600V N溝道SuperFET II MOSFET系列產(chǎn)品 2012-12-13 14:15
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39mΩ~600mΩ,將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A~73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級(jí)結(jié)技術(shù),使公司進(jìn)入使用功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的增量... (來(lái)源:新品頻道)
Vishay600V N溝道功率MOSFET系列 2012-10-22 13:13
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A~36A電流,采用多種封裝。 今天發(fā)布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術(shù),使效率和功率密度達(dá)到新的水平。器件的條帶設(shè)... (來(lái)源:新品頻道)
VishayD系列高壓功率MOSFET 2012-5-3 09:31