～通過替換現有的Si MOSFET，可將器件體積減少約99%，功率損耗減少約55%～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM... （來源：新聞頻道）
ROHMEcoGaN Power Stage ICBM3G0xxMUV－LB 2023-7-19 15:50
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