前往首頁 聯系我們 網站地圖
~通過替換現有的Si MOSFET,可將器件體積減少約99%,功率損耗減少約55%~全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1,開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM... (來源:新聞頻道)
ROHMEcoGaN Power Stage ICBM3G0xxMUV-LB 2023-7-19 15:50
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099