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宜鼎最完整工業級存儲全面補齊5G網絡切片拼圖

專利iSLC固件技術、100K讀寫次數全力支援5G網通、AI智能城市高算力需求缺口全球工業級存儲與內存領導品牌宜鼎國際（Innodisk）推出新一代專利iSLC技術，透過獨家固件技術突破，搭配BiCS5 112層3D TLC閃存，為工業級存儲達到全面性的效能提升，創造業界最高100K P/E cycles（寫入/抹除次數），提供...
宜鼎iSLC5G 2023-03-01

西部數據亮相OCP China Day 2022，以存儲創新賦能開放計算

8月10日，浪潮信息承辦的開放計算中國社區技術峰會OCP China Day 2022在北京拉開帷幕。開放計算中國社區技術峰會（OCP China Day）是全球開放計算最具規模的生態峰會之一。此次大會以"開放·向未來：綠色、融合、賦能"為主題，匯聚開放計算及相關行業領袖，共同聚焦AI、計算、存儲、網絡等數據中心基礎...
西部數據 2022-08-11

威剛發布新一代工業級112層BiCS5 3D NAND SSD新品

作為工業級 DRAM 模組與 NAND 閃存產品的領先制造商之一，威剛科技（ADATA）于今日宣布了新一代 112 層堆疊式 BiCS5 3D NAND SSD 產品線。除了更高的容量和性能的重大飛躍，該系列產品還致力于為 5G、物聯網、人工智能、網絡通訊、服務器、以及其它類型的應用場景提供支持。 GSA 報道稱，截止 2021 ...
威剛BiCS5 3D NAND SSD 2021-08-02

4D閃存+176層，SK Hynix做到了

繼美光之后，SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，容量512GB/64GB，TLC。SK海力士透露，閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術。公司將樣品提供給controller公司去制作解決方案產品海力士一直在推廣96層NAND Flash產品中的4D技術，該產品將電荷阱閃存(CTF)與高...
SKHynixNAND 2021-01-05

閃存顆粒的封裝形式介紹

存儲技術閃存顆粒有TSOP和BGA兩種封裝形式，前者在顆粒兩側各有一排引腳，后者則在芯片底部有大量的信號觸點。它們二者有何區別？　　電腦老玩家們應該還記得第一代DDR內存以及更早的SDRAM內存條，當時內存顆粒也普通使用TSOP封裝。下圖是一條筆記本SDRAM內存條，工作頻...
閃存顆粒封裝形式BGA 2020-09-01

憑借BiCS5 3D NAND技術，西部數據進一步增強其存儲領域領導優勢

技術和制造工藝的進步為3D NAND的演進另辟蹊徑西部數據公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布已成功開發第五代3D NAND技術——BiCS5，繼續為行業提供先進的閃存技術來鞏固其業界領先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術構建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯網、移動設備和人工智能等...
西部數據BiCS5 3D NAND技術BiCS5 2020-02-11

東芝開始研究5bit PLC閃存顆粒

東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發。東芝已經開始計劃其BiCS閃存的第五代到第七代的研發。每一代新產品都將與新一代的PCIe標準相一致，BiCS 5將很快與PCIe 4.0同步上市，但該公司沒有提供具體的時間表。BiCS5將具有更高的帶寬1200 MT/s，而BiCS6將達到1600 MT/s， BiCS7將...
BiCS閃存NAND閃存 2019-08-27

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