TI近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低,比傳統(tǒng)60-V負載開關(guān)低90%,同時,使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝,其負載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。如需了解更多信息與樣品,敬請訪問www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。 CSD18... (來源:新品頻道)
TI60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管60-V負載開關(guān)CSD18541F5 2016-7-15 14:53