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作者：Vito Prezioso 電源專家現場應用工程師，富昌電子（北歐）氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源系統設計人員提供了一個令人興奮的新選擇。與硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開關損耗并提高電源效率，并支持更高的開關頻率，從而減小系統尺寸和重量。... （來源：技術文章頻道）
GaN 電源系統 集成驅動器 2023-3-28 10:50
隨著移動設備、筆記本電腦和電池供電設備的不斷增加，消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。這一趨勢給工程師出了一道“難題”：如何在更小的尺寸內實現更高的功率水平，同時滿足散熱要求。為了滿足消費者的充電需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布了一項創新的... （來源：新品頻道）
英飛凌反激式控制器XDPCoolGaN IPS 2022-7-27 13:49
采用氮化鎵（GaN）這種寬禁帶（WBG）材料制成的功率開關憑借其出色的效率及高速切換頻率，開啟了功率電子的新時代。順應這一發展趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出集成式功率級（IPS）產品 CoolGaN™ IPS 系列，成為旗下眾多 WBG 功率元件組合的最新產品。IPS 基本的產品組合... （來源：新品頻道）
英飛凌8x8QFN－28 2021-5-11 16:22
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