作者簡介André Lenze與Paul Salmen博士,英飛凌科技股份公司(德國瓦爾施泰因)引言過去幾年,實際應用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象,并提出了工作柵極電壓區域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。... (來源:技術文章頻道)
CoolSiC MOSFET M1H 柵極開關 2022-6-20 10:48