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作者簡介André Lenze與Paul Salmen博士，英飛凌科技股份公司（德國瓦爾施泰因）引言過去幾年，實際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。... （來源：技術(shù)文章頻道）
CoolSiC MOSFET M1H 柵極開關(guān) 2022-6-20 10:48
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