1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領先同類產品 Nexperia今天宣布，公司現推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產... （來源：新品頻道）
Nexperia SiC MOSFET分立器件 D2PAK－7封裝 2024-5-23 10:06
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的 OptiMOS－T2 30V MOSFET 是一款N溝道器件，在10ｖ柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態電阻僅為０．9毫歐。采用D2PAK－7封裝的IPB180N03S4L－H0，可滿足客戶對標準... （來源：新品頻道）
InfineonMOSFET 2010-8-6 09:17
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