隨著新一輪AI浪潮加速爆發(fā)，全球服務器市場持續(xù)繁榮，單臺服務器的配置和性能也在逐步提升。中金報告指出，服務器出貨量增加、AI服務器出貨占比擴大，帶動了內(nèi)存接口芯片需求上漲，與此同時，DDR5滲透率提升以及子代迭代速度快對配套內(nèi)存接口芯片及套片存在強需求。作為CPU與硬盤之間的數(shù)據(jù)橋梁，內(nèi)存模... （來源：技術(shù)文章頻道）
牛芯半導體 DDR技術(shù) 服務器 2024-8-16 09:05
1、DDR系統(tǒng)的三種電源對于電源電壓，DDR SDRAM系統(tǒng)要求三個電源，分別為VDDQ、VTT和VREF。A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有專門的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即... （來源：技術(shù)文章頻道）
VTT電源 DDR 電源 2023-3-24 11:05
嵌入式閃存市場的領(lǐng)導者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）日前宣布開始生產(chǎn)最新低容量串行閃存系列以擴大其產(chǎn)品陣容，并滿足消費類市場和大中華區(qū)的更多應用需求。最新4 Mb、8 Mb和16 Mb Spansion® FL-2K系列面向消費電子領(lǐng)域的代碼存儲應用，例如光盤驅(qū)動器、電纜和DSL調(diào)制解調(diào)器、打印機、路... （來源：新品頻道）
SpansionDDR器件 2012-9-20 15:09
賽普拉推出了首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術(shù)，由臺灣聯(lián)華電子（UMC）的芯片工廠代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場上最快的時鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數(shù)... （來源：新品頻道）
Cypress144-Mbit SRAM CY7C16xxKV18 2009-10-30 10:05
7月18日訊,Micron公司推出2Gb雙數(shù)據(jù)速率(DDR2)存儲器元件MT47H512M4HG.這種2Gb元件設(shè)計用來組成8GB大容量存儲器模塊,以比現(xiàn)有元件更小的空間和功耗為每個服務器提供更多的存儲器容量. MT47H512M4HG 2Gb DDR2元件樣品為用戶提供了先進存儲器解決方案.以前,Micron公司曾推出用于所有主要x86服務器平臺的... （來源：新品頻道）
存儲器 DDR2 DRAM 2005-8-3 15:40
MT18HTF12872Y:1GB VLP DDR RDIMM 6月29日訊,Micron公司推出非常小尺寸(VLP)的容量為512MB(64Mx72)和1GB(128Mx72)雙數(shù)據(jù)速率(DDR)和DDR2注冊的雙列直插存儲器模塊(RDIMM) MT18HTF6472Y-40EB3和MT18HTF12872Y-40EB4.Micron的VLP DDR RDIMM的高度只有18.3mm(0.72吋),采用垂直而不是斜角的存儲器插座,使... （來源：新品頻道）
存儲器 2005-6-30 15:26
2月20日訊，Infineon公司推出無緩沖的雙列直插存儲器模塊(DIMM)系列產(chǎn)品，容量有128MB,256MB 和512MB。她是基于256MB雙數(shù)據(jù)速率400Mbps(DDR400)存儲器，已經(jīng)證明和Intel的指標兼容，能滿足JEDEC PC3200 3.2GBps帶寬指標，用作高性能臺式PC和工作站的主存儲器。DDR400支持最高性能的奔騰4處理器臺式機和... （來源：新品頻道）
存儲器 2003-2-26 13:44
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