前往首頁 聯系我們 網站地圖
繼紫光展銳之后，半導體行業再迎重磅 IPO 消息。證監會官網今日披露，國產存儲巨頭長鑫科技擬 IPO 并接受上市輔導，輔導機構為中金公司和中信建投。長鑫科技啟動上市輔導。 輔導文件顯示，長鑫科技注冊資本達 601.9 億元，無控股股東。第一大股東為合肥清輝集電企業管理合伙企業（有限合伙），直接持... （來源：新聞頻道）
長鑫科技 2025-7-8 14:33
美光當地時間昨日宣布將在美國的投資從此前宣布的 1250 億美元擴大至 2000 億美元（現匯率約合 1.44 萬億元人民幣），包括額外 250 億美元的內存制造投資和單獨 500 億美元的研發投資。 美光此前已啟動位于其總部愛達荷州博伊西的 1 座 DRAM 內存晶圓廠建設，并計劃在紐約州克萊再建設 4 座大型內存... （來源：新聞頻道）
美光 2025-6-13 13:07
臺媒《經濟日報》昨晚援引業界消息報道稱，美光已同臺灣地區集成電路力成封裝測試服務廠商力成科技 (Powertech, PTI) 敲定 HBM2 內存的獨家封裝訂單外包協議。 HBM 高帶寬內存目前已發展到 HBM3E 量產、HBM4 發布的時間點，但英特爾 Gaudi 3 和小型芯片企業的 AI ASIC 仍在使用價格低廉的 HBM2 ... （來源：新聞頻道）
美光力成HBM2 內存 2025-5-26 16:20
韓媒 SE Daily 援引業界消息報道稱，三星電子內部已制定了在第 7 代 10nm 級 DRAM 內存工藝 1d nm 后即導入 VCT 垂直通道晶體管技術的路線圖，相關產品有望最早于 2~3 年內面世。 據悉三星電子在 1d nm 后的下代 DRAM 工藝上曾考慮過 1e nm 和 VCT DRAM 兩種選擇，最終選擇了有望“改變游戲規則... （來源：新聞頻道）
三星電子DRAM 2025-4-29 09:18
SK 海力士在當地時間 4 月 23 日舉行的臺積電 2025 年北美技術論壇上展示了多款 DRAM 內存新品，包括先進的 HBM 內存和標準 DIMM 模組。 其中在 HBM 部分，作為首家在 HBM 領域實現 16 層鍵合的內存企業，SK 海力士帶來了采用 Advanced MR-MUF 鍵合技術的 16Hi HBM 內存模型。 而在具體... （來源：新品頻道）
SK 海力士內存 2025-4-27 16:06
創新產品獲得聯盟認可，鞏固 SMART 在前沿技術領域的領先優勢 隸屬Penguin Solutions™ （Nasdaq： PENG） 控股集團，全球專業整合型內存與存儲解決方案領導者 SMART Modular 世邁科技 （“SMART”）宣布其最新128GB E3.S 2T CMM (Compute Express Link® 內存模塊) 已正... （來源：新聞頻道）
SMARTCMM內存模塊 2025-4-17 09:20
新模塊提供持久性內存，支持Checkpointing、快照（Snapshotting）及低延遲寫入緩存功能，滿足高效能數據中心計算與存儲應用的嚴苛需求 隸屬Penguin Solutions™ （Nasdaq： PENG） 控股集團，全球專業整合型內存與存儲解決方案領導者 SMART Modular 世邁科技 （“SMA... （來源：新品頻道）
世邁科技非易失性CXL E3．S內存模塊 2025-3-27 10:31
高性能人工智能 RISC-V 處理器的領先 IP 公司 Semidynamics 很高興地宣布，UPMEM 已選擇 Semidynamics 作為其下一代 LPDDR5X Processing In Memory 器件的核心供應商。標準 RISC-V 架構集成了張量單元和名為 Gazillion 的長延遲數據訪問優化器，可以無縫高效地集成任何人工智能或 LLM 模型。巨大的內部... （來源：新聞頻道）
UPMEM 大型語言模型 2024-12-10 10:08
三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出，在今年發布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，... （來源：新聞頻道）
AI HBM三維封裝技術 SAINT－D 2024-6-19 14:36
三星電子代表昨日在韓國“AI-PIM 研討會”上表示，正按計劃逐步推進 eMRAM 內存的制程升級，目前 8nm eMRAM 的技術開發已基本完成。作為一種新型內存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 內存一樣不斷刷新數據，更為節能高效；同時 MRAM 的寫入速度又是 NAND 的 1000 倍，支持對寫入... （來源：新聞頻道）
三星電子 eMRAM 2024-6-3 14:20
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到30條【DRAM 內存】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博