Micron 美光計劃在美國紐約州克萊 (Clay) 建設四座大型 DRAM 內存晶圓廠以滿足美國本地對存儲半導體供應日益增長的需求。不過根據本月 5 日公布的最終環境影響聲明,該項目的建設速度有所放緩。 盡管美光的前置準備(本季度啟動初步場地準備)和最終目標(所有晶圓廠 2041 年完工、2045 年底全面投產... (來源:新聞頻道)
美光晶圓廠 2025-11-11 09:27
11月3日,在韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上,韓國存儲芯片大廠SK 海力士(SK hynix)CEO Kwak Noh-Jung 正式公布了公司“全線AI存儲創造者”(Full Stack AI Memory Creator)的新愿景,以期在迎接下一個AI時代之前,SK 海力士能深化其存儲領導者的地位。 Kwak Noh... (來源:新聞頻道)
SK海力士AI存儲 2025-11-3 16:05
在高通驍龍峰會 2025 現場獲得了剛剛發布的驍龍 X2 Elite (Extreme) 和 8 Elite Gen 5 處理器的實物圖片: 可以看到上圖右側 X2 Elite Extreme 的封裝模塊包含 4 個主要芯片,即位于偏下位置的處理器本體芯片和 3 顆集成封裝的 DRAM 內存芯片,與英特爾 "Lunar Lake" 酷睿 U... (來源:新品頻道)
高通驍龍 X2處理器 2025-9-25 13:05
機構 TrendForce 集邦咨詢表示,在三大 DRAM 內存原廠的產能分配向 HBM 和服務器 DDR5 傾斜的背景下,2025 年第四季度整體一般型 DRAM 的價格將環比增長 8~13%。 從主要類目來看,今年四季度 PC 促銷鋪貨降溫,PC DRAM 需求會相對減少,但有限的供應仍然會小幅拉抬 PC 內存價格;而在服務器... (來源:新聞頻道)
HBM DRAM 2025-9-25 09:01
韓媒 Newdaily 當地時間今日援引業內人士消息稱,三星電子近日向主要客戶通知,接下來的 2025 年第四季度中移動端的 DRAM 內存 (LPDDR) 和 NAND 閃存 (UFS / eMMC) 產品合約價將出現一輪上漲。 具體而言,LPDDR4x / LPDDR5 / LPDDR5x 的價格將上升 15~30%;UFS / eMMC 的合約價升幅要小一些,但也有... (來源:新聞頻道)
存儲三星電子DRAM NAND 2025-9-22 15:24
繼紫光展銳之后,半導體行業再迎重磅 IPO 消息。證監會官網今日披露,國產存儲巨頭長鑫科技擬 IPO 并接受上市輔導,輔導機構為中金公司和中信建投。長鑫科技啟動上市輔導。 輔導文件顯示,長鑫科技注冊資本達 601.9 億元,無控股股東。第一大股東為合肥清輝集電企業管理合伙企業(有限合伙),直接持... (來源:新聞頻道)
長鑫科技 2025-7-8 14:33
美光當地時間昨日宣布將在美國的投資從此前宣布的 1250 億美元擴大至 2000 億美元(現匯率約合 1.44 萬億元人民幣),包括額外 250 億美元的內存制造投資和單獨 500 億美元的研發投資。 美光此前已啟動位于其總部愛達荷州博伊西的 1 座 DRAM 內存晶圓廠建設,并計劃在紐約州克萊再建設 4 座大型內存... (來源:新聞頻道)
美光 2025-6-13 13:07
臺媒《經濟日報》昨晚援引業界消息報道稱,美光已同臺灣地區集成電路力成封裝測試服務廠商力成科技 (Powertech, PTI) 敲定 HBM2 內存的獨家封裝訂單外包協議。 HBM 高帶寬內存目前已發展到 HBM3E 量產、HBM4 發布的時間點,但英特爾 Gaudi 3 和小型芯片企業的 AI ASIC 仍在使用價格低廉的 HBM2 ... (來源:新聞頻道)
美光力成HBM2 內存 2025-5-26 16:20
韓媒 SE Daily 援引業界消息報道稱,三星電子內部已制定了在第 7 代 10nm 級 DRAM 內存工藝 1d nm 后即導入 VCT 垂直通道晶體管技術的路線圖,相關產品有望最早于 2~3 年內面世。 據悉三星電子在 1d nm 后的下代 DRAM 工藝上曾考慮過 1e nm 和 VCT DRAM 兩種選擇,最終選擇了有望“改變游戲規則... (來源:新聞頻道)
三星電子DRAM 2025-4-29 09:18
SK 海力士在當地時間 4 月 23 日舉行的臺積電 2025 年北美技術論壇上展示了多款 DRAM 內存新品,包括先進的 HBM 內存和標準 DIMM 模組。 其中在 HBM 部分,作為首家在 HBM 領域實現 16 層鍵合的內存企業,SK 海力士帶來了采用 Advanced MR-MUF 鍵合技術的 16Hi HBM 內存模型。 而在具體... (來源:新品頻道)
SK 海力士內存 2025-4-27 16:06