上海治精微電子有限公司(以下簡稱“治精微”)，總部位于張江的高端模擬芯片方案供應商，在繼40V低漏電流、低電荷注入的高性能多路復用器ZJG4438/4428/4408之后，隆重推出新一代50V、低漏電流、低導通電阻、175MHz帶寬精密單刀雙擲(SPDT)開關ZJG4469。它可以廣泛應用于自動測試設備(ATE)、功能... （來源：新品頻道）
治精微ZJG4469 SPDT 2025-11-19 11:05
SK集團將作為龍頭企業（牽頭企業）參與韓國政府的功率半導體開發項目，該項目是政府推進的“15個超級創新經濟項目”之一。這是韓國大型企業首次參與李在明政府的超級創新半導體項目。盡管韓國國內半導體巨頭一直對投資功率半導體持謹慎態度，但SK集團率先行動，因為政府提出了涵蓋整個供應鏈... （來源：新聞頻道）
SK集團功率半導體 2025-11-18 16:15
隨著全球對AI和高性能計算芯片需求的增長，先進封裝技術的需求持續升溫，市場對臺積電CoWoS產線的依賴也達到了高峰。 由于臺積電的CoWoS產能目前主要被NVIDIA、AMD以及大型云端客戶承包，留給新客戶的排程彈性和空間非常有限。 這使得其他芯片大廠不得不開始積極評估并布局多元化的封裝路線，包括... （來源：新聞頻道）
臺積電先進封裝 2025-11-18 10:27
11月16日，A股上市公司和順石油發布公告稱，擬以現金方式，通過收購股權及增資購買上海奎芯集成電路設計有限公司（以下簡稱“奎芯科技”或“標的公司”）不低于 34%的股權，同時通過表決權委托，合計控制標的公司 51%表決權，即取得標的公司的控制權（以下簡稱“本次交易&rdq... （來源：新聞頻道）
和順石油奎芯科技 2025-11-17 14:22
由于來自人工智能（AI）數據中心的存儲芯片需求暴漲，近期存儲芯片市場持續供不應求、價格大漲。據外媒Hardwareluxx報導，多家存儲模組制造商的新產品發布時間，也已經從原訂的2025年下半年延后至2026年，希望觀察供應緊縮對存儲價格的影響。 報道指出，包括海盜船（Corsair）、十銓科技（Expert）等... （來源：新聞頻道）
存儲模組 2025-11-17 14:03
據韓國媒體《朝鮮日報》報道援引業內人士的說法指出，由于服務器、個人電腦（PC）和移動設備所使用的通用型DRAM供給不足、價格持續上漲，市場分析普遍預期，存儲大廠SK 海力士（SK Hynix）的通用DRAM 營業利潤率將可能突破70%。如此之高的營業利潤率，是SK海力士繼1995年內存超級景氣循環以來，時隔近3... （來源：新聞頻道）
SK海力士DRAM 2025-11-13 09:17
據韓國媒體Dealsite報道，韓國存儲芯片大廠SK 海力士原計劃最早于11月底啟動下一代12層堆疊的HBM4擴產設備的采購，但投資審議會議延后舉行，導致整體規劃時間略為延遲，導致設備導入延后至明年年初。 報道指出，SK 海力士原定10月召開投資審議委員會，但因連假與集團人事調整而延后至11月底至12月初... （來源：新聞頻道）
SK海力士HBM4 2025-11-13 09:03
據DigiTimes報道，存儲芯片大廠SanDisk（閃迪）已將其11月份的NAND Flash閃存合約價格提高了驚人的50%的漲幅。 Sandisk此舉凸顯了在人工智能（AI）數據中心對于存儲芯片需求持續增長以及存儲晶圓供應日趨緊張趨勢下，存儲市場供應缺口和價格波動正越來越大。也直接導致了下游多家存儲模組廠商暫停報... （來源：新聞頻道）
SandiskNAND 2025-11-10 13:25
據韓國媒體Business korea報道，SK海力士近日已經與人工智能（AI）芯片大廠英偉達（NVIDIA）就明年供應的第六代高帶寬內存HBM4完成談判，價格將比HBM3E高出了50%以上，為其未來實現性能突破奠定了基礎。 今年3月，SK海力士就率先向英偉達交付了全球首塊12層堆疊的HBM4顯存樣品。在該樣品獲得英偉達的... （來源：新聞頻道）
SK海力士HBM4 2025-11-6 10:57
據科技媒體 Wccftech 報道，AMD 現已公布 2025 財年第三季度（截至 9 月 27 日）財報，收入 92 億美元（現匯率約合 655.32 億元人民幣），同比增長 36%、環比增長 20%，創歷史新高，超出華爾街預期。 AMD CEO 蘇姿豐在財報電話會議中確認，下一代 EPYC 處理器“Venice”將在 2026 年登... （來源：新聞頻道）
AMD 2025-11-6 09:19
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