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DDR3內(nèi)存采用了ODT(核心整合終結(jié)器)技術(shù)以及用于優(yōu)化性能的EMRS技術(shù),同時(shí)也允許輸入時(shí)鐘異步。在針腳定義方面,DDR3表現(xiàn)出很強(qiáng)的獨(dú)立性,甚至敢于徹底拋棄TSOPII與mBGA封裝形式,采用更為先進(jìn)的FBGA封裝。DDR III內(nèi)存用了0.08微米制造工藝制造,將工作在1.5V的電壓下。 從長(zhǎng)遠(yuǎn)趨勢(shì)來看,擁有單芯片位... (來源:電子百科頻道)
核心整合終結(jié)器EMRS技術(shù) 2013-3-12 14:27
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