近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置, EasyDUAL 1B封裝的導通電阻(R DS(on))為11 mΩ,EasyDUAL 2B封裝的導通電阻(R DS(on))為6 mΩ。升級為高性能AIN后,該1200 ... (來源:新品頻道)
英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET 2021-8-9 13:19