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近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）將EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置， EasyDUAL 1B封裝的導通電阻（R DS(on)）為11 mΩ，EasyDUAL 2B封裝的導通電阻（R DS(on)）為6 mΩ。升級為高性能AIN后，該1200 ... （來源：新品頻道）
英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET 2021-8-9 13:19
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