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↓在全部中搜索到 5 條關于“Exagan”的信息，用時:0.039 sec.

透過意法半導體，淺析寬禁帶布局的關鍵

2020年底，意法半導體（ST）宣布到2027年實現碳中和目標和100%采用可再生能源，是目前已知消息中，有望最早實現這個目標的半導體公司。ST此前曾表示，此舉是踐行公司的可持續發展之路的重要舉措。而除了開源可再生能源之外，通過節能，可進一步實現減排目標。ST汽車和分立器件產品部(ADG) 執行副總裁，...
寬禁帶半導體碳化硅氮化鎵SiCGaNst 2022-03-02

ST 和Exagan開啟GaN發展新篇章

氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性質讓器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，這就是說，與同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以處理更大的負載，能效更高，物料清單成...
STExaganGaNCMOS晶圓半導體材料 2021-09-07

成立新能源汽車能力中心，ST中國汽車市場的三級跳

1984年，意法半導體（ST）在中國設立了第一個辦事處，成為首批在中國設立營業機構的國際半導體公司之一。從那時起，ST在中國逐步實現了完整產業鏈的戰略部署，在內地擁有16個辦事處，1家制造工廠以及約4,900名員工，分布在市場銷售、設計研發、技術創新中心、生產制造、供應鏈管理和各種支持職能。如今...
st新能源汽車 2021-04-21

半導體材料中的法拉利：GaN沖向2021

盡管20年前GaN晶體管以前處于大學研究項目階段，但現在這些器件已在整個行業廣泛采用，尤其是在2020年。由于GaN晶體管具有極高的電子遷移率，所以替代硅基FET只是時間問題。與基于硅的晶體管相比，這也使GaN具有較小的導通電阻和更快的開關速度。 GaN晶體管的驅動方式與傳統MOSFET相同，這使得...
GaN電動車 2020-12-28

增加GaN技術積累實力，ST收購氮化鎵創新企業Exagan多數股權

橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST; 紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，已經簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。Exagan的外延工藝、產品開發和應用經驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開發規劃和業...
Exaganst功率GaN 2020-03-09

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