隨著人工智能數據中心、電動汽車等高能耗領域的能源需求激增,安森美半導體(Onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關領域的功率密度、效率和耐用性樹立新標桿。這款新一代 GaN-on-GaN 功率器件采用垂直導電設計,電流可垂直流經化合物半導體,能實現更高工作電壓與更快開關頻率,既達到節能... (來源:新聞頻道)
安森美 2025-11-3 10:15
隨著技術的不斷進步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而,這些器件在長期連續使用后會出現老化現象,導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性,成為行業關注的焦點。 目前,針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試... (來源:技術文章頻道)
泰克功率器件老化高溫老化測試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
• 自劍橋大學分拆成立的CGD 獲得 C 輪融資,擴大在劍橋、北美、中國臺灣和歐洲的業務 • CGD 利用氮化鎵(GaN)開發的節能半導體重塑電力電子的未來 • CGD 的技術幫助電動汽車和數據中心提高能效,為全球功率半導體行業帶來重大機遇 氮化鎵(GaN)功率器件的領先創新... (來源:新聞頻道)
CGD功率半導體 2025-2-19 09:42
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節省了系統成本,并提高了可靠性無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于... (來源:新品頻道)
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業技術研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固... (來源:新聞頻道)
CGD 中國臺灣工業技術研究院 GaN電源開發 2024-5-30 10:26
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場,因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而,電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易,因為它很容易發生振蕩,并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人... (來源:技術文章頻道)
GaN 功率器件氮化鎵 2024-4-1 09:30
作者:Bill Schweber對更高效利用能源的推動、更嚴格的法規要求以及低溫運行的技術優勢,所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 MOSFET 等開關技術已得到廣泛應用,但它們往往無法滿足關鍵變頻器應用對性能和效率的更高要求。氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術,... (來源:技術文章頻道)
GaN 功率器件 電機變頻器 2024-3-29 11:03
GaN FET 在高頻 DC-DC 轉換器等電源系統中越來越受到青睞。因此,電力電子領域的大多數主要廠商都推出了氮化鎵 (GaN) 功率 FET,這些器件利用了GaN獨特的特性——減少柵極電荷 (Qg)、輸出電容 (COSS) 和反向恢復損耗——從而實現更快地切換并節省更多電量。GaN FET 的開關速度非常快,因此可以使用更小... (來源:新聞頻道)
氮化鎵功率器件 2024-3-25 14:36
2024年時逢應用材料公司在華40周年,應用材料公司將繼續參加3月20-22日在上海舉行的SEMICON China。同時,集成電路科學技術大會(CSTIC)2024也將于3月17-18日在上海舉辦。應用材料公司將在兩場盛會中發表多場主題演講并展示多篇學術海報。伴隨時代發展,半導體已成為電子信息產業發展的基石,也是電子... (來源:新聞頻道)
應用材料公司 SEMICON CHINA 2024 2024-3-18 09:02
汽車行業日益電氣化的趨勢使汽車制造商既能以成本效益向市場提供新的創新,又能滿足日益嚴格的排放立法。將車輛的主母線電壓提高到48V有助于滿足耗電系統的需求,如輕度混合動力車輛的啟停電機/發電機,以及電動助力轉向、電動增壓、真空泵和水泵等負載。與傳統的12V汽車電源標準相比,48V配電可以在不... (來源:技術文章頻道)
GaN 汽車降壓/反向升壓轉換器 2024-3-8 10:15