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根據Synergy Research Group的報告顯示，截至2024年底，超大規(guī)模運營商運營的數據中心數量達到1136個，較2019年第四季度的不到600個大幅增加，意味著全球超大規(guī)模數據中心數量在過去五年中幾乎翻了一番。 此外，未來幾年規(guī)劃中的數據中心項目數量自2022年3月以來增長了60%，從314個增加到2025年3月的... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體數據中心電源 2025-4-18 14:05
目標應用鎖定快充、適配器和家電電源 意法半導體的 VIPerGaN65D 反激式轉換器采用SOIC16封裝，可以用于設計體積較小的高性價比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器，最大輸出功率可達65W，輸入電壓為通用電網電壓。 這款準諧振離線變換器集成一個700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優(yōu)化的柵極... （來源：新品頻道）
意法半導體65W GaN變換器 2025-3-26 09:00
ICeGaN HEMT 和IGBT 的并聯組合降低了成本、實現高效率無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解決方案使 CGD 利用其 ... （來源：新聞頻道）
CGDGAN電動汽車逆變器 2025-3-11 14:30
作者：George Hempt文章概述 本文介紹了寬帶隙（GaN）技術在高壓LED照明中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能... （來源：技術文章頻道）
LED照明 GaN GaN晶體管 2024-12-5 11:02
雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機控制器/驅動器與CGD易于使用的ICeGaN IC結合于新的評估套件（EVK）中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱 CGD）是一家專注于研發(fā)高效能氮化鎵（GaN）功率組件的半導體公司，致力于打造更環(huán)保的電子組件。近日，該公司與全球領先的連接... （來源：新聞頻道）
CGD Qorvo 電機控制解決方案 2024-11-15 09:42
快速共模信號測量在這種情況下，我們使用一個小型電池振蕩器（基于 LTC6907），它連接到 Mosfet 的漏極，從而提供測量所需的共模電壓變化。該振蕩器板具有 SMB 輸出，但我們將把電纜直接焊接到板上以進行此測試。差分測量是振蕩器的輸出，即 2V 電平信號，它與 Mosfet 的切換不同步。首先，我們使用與之... （來源：技術文章頻道）
共模隔離探頭共模信號測量浮動測量 2024-9-6 10:10
GaN 是一種二元化合物，由一個鎵原子（III 族，Z = 31）和一個氮原子（V 族，Z = 7）組成，具有纖鋅礦六方結構。鎵原子和氮原子通過非常強的離子化學鍵結合在一起，從而產生很大的能帶隙。這一特性使 GaN 非常穩(wěn)定，非常適合在高溫和惡劣環(huán)境下工作。用這種技術制造的晶體管（通常具有橫向結構）稱為高... （來源：技術文章頻道）
GaN 晶體管 2024-6-26 09:57
采用新型熱阻增強封裝的P2系列表現出超高的電氣性能，支持具有挑戰(zhàn)性的高功率應用，堅固可靠無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設計的、超低導通電阻(RDS(on)... （來源：新品頻道）
CGD GaN功率IC 2024-6-12 10:24
評估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機控制器/驅動器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商... （來源：新聞頻道）
CGD 電機控制 GaN優(yōu)勢 2024-6-7 14:00
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節(jié)省了系統成本，并提高了可靠性無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于... （來源：新品頻道）
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
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