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富士通宣布有關新型高可靠性氮化鎵 (GaN) HEMT(高電子移動率電晶體)的最新研究成果,為高功率 GaN HEMT 器件的商業化鋪平了道路。 該項新技術使晶體能在 200 攝氏度的高溫、泄漏電壓為 50 伏 (50V) 的夾斷條件下平穩運行一百萬小時以上(相當于 100 多年),由此獲得了世界上使用壽命最長的 GaN HEMT... (來源:新品頻道)
氮化鎵HEMT 生產技術 2007-7-5 13:32
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