作者: 付斌隨著摩爾定律不斷推進(jìn),晶體管越來(lái)越小,密度越來(lái)越高,堆棧層數(shù)也越來(lái)越多。此時(shí),細(xì)節(jié)就更能為芯片擠壓更多性能,背面供電就是一個(gè)。與此同時(shí),它可能也是實(shí)現(xiàn)1nm的關(guān)鍵。縱觀(guān)目前行業(yè),英特爾先發(fā)制人,臺(tái)積電、三星加碼跟進(jìn),在IEDM2023上,英特爾繼續(xù)推進(jìn)這項(xiàng)技術(shù),這次英特爾又放出了背... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
背面供電IEDM2023英特爾 2023-12-14 10:10