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背面供電再迎創(chuàng)新：IEDM2023英特爾放出一個(gè)“王炸”

作者: 付斌隨著摩爾定律不斷推進(jìn)，晶體管越來(lái)越小，密度越來(lái)越高，堆棧層數(shù)也越來(lái)越多。此時(shí)，細(xì)節(jié)就更能為芯片擠壓更多性能，背面供電就是一個(gè)。與此同時(shí)，它可能也是實(shí)現(xiàn)1nm的關(guān)鍵。縱觀(guān)目前行業(yè)，英特爾先發(fā)制人，臺(tái)積電、三星加碼跟進(jìn)，在IEDM2023上，英特爾繼續(xù)推進(jìn)這項(xiàng)技術(shù)，這次英特爾又放出了背... （來(lái)源：新聞?lì)l道）

背面供電IEDM2023英特爾 2023-12-14 10:10