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作者：陳子穎前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻... （來源：技術文章頻道）
功率器件 熱設計IGBT 2024-12-6 10:43
利用嵌入了功率元器件的電路仿真工具，提高設計的便利性全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice® 的SPICE模型*2陣容。LTspice®具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經陸續提供了雙極晶體管... （來源：新品頻道）
SiC IGBT模型 羅姆 2023-10-12 15:02
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