當世界繼續努力追求更高速的連接,并要求低延遲和高可靠性時,信息通信技術的能耗繼續飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上,還對能源效率和性能提出了限制。5G網絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求,增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求,提高了能源效率、更大的帶寬、更... (來源:技術文章頻道)
5G網絡 射頻功率放大器 硅基氮化鎵 2022-2-8 11:21
埃賦隆半導體(Ampleon)宣布推出兩款新的寬帶放大器系列——額定電壓為32V的BLP15M9Sxxx器件和額定電壓為50V的BLP15H9Sxxx器件, 從而進一步加強其先進而又高性價比的射頻功率放大器解決方案的產品組合。 BLP15M9Sxxx和BLP15H9Sxxx這兩個系列分別基于公司的第9代LDMOS技術和高壓LDMOS技術生產,并... (來源:新品頻道)
埃賦隆半導體LDMOS晶體管 2021-7-7 09:40
作者:Alan Hutton,歐洲、中東和非洲(EMEA)/印度銷售總監,埃賦隆半導體(Ampleon)在過去幾年里,市場上出現了面向多樣化和高利潤的多用途市場——包括廣播電視和航空航天以及工業、科學和醫療(ISM)應用——的大功率RF產品。業界已經歷了一場范式轉變,需要在提高功率水平的同時提高效率。從早期... (來源:技術文章頻道)
大功率射頻器件 GaN技術 LDMOS技術 功率放大器(PA) 2021-6-28 10:23
半導體行業從誕生至今,先后經歷了三代材料的變更歷程。第三代半導體材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(禁帶寬度 Eg>2.3eV)的半導體材料。 據了解,我國把大力支持發展第三代半導體產業,寫入“十四五”規劃,計劃在2021-2... (來源:新聞頻道)
第三代半導體5G 2021-2-26 10:11
盡管疫情造成了短期影響,SiC設備市場收入依舊繼續增長,預計到2025年將超過30億美元。EV/HEV仍然是SiC器件的殺手級應用。盡管H1-2020年全球增長放緩,但SiC解決方案的設計成果最近成倍增加,2019-2020年期間市場前景一片光明。 Yole development預計到2025年GaN業務將超過6.8億美元。例如,2019年底... (來源:技術文章頻道)
RFGaN 2021-1-4 11:21
· 新一代Airfast射頻多芯片模塊(MCM)利用恩智浦最新LDMOS技術的強大性能,采用集成設計技術,將頻率范圍擴展至4.0 GHz · 提供比前一代產品更高的輸出功率,支持更強大的5G mMIMO無線電的部署,能夠覆蓋更大的城市區域 · 在2.6 GHz頻率下... (來源:新品頻道)
恩智浦5GAFSC5G26E38 2020-12-3 14:04
第三代半導體隨著近幾年的快速發展,在投資熱潮過后,逐漸有相應的產品進入到大眾的生活里面。 簡單來說,第三代半導體是指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導體材料。與我們熟悉的傳統第一代、第二代半導體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第三代半... (來源:新聞頻道)
GaNSiC5G 2020-9-11 12:01
5G基站對功率放大器芯片和其他射頻設備的需求不斷增加,使不同公司和技術之間開始激烈PK。 功率放大器是提高基站射頻功率信號的關鍵部件,它基于兩種有競爭力的技術,硅基LDMOS或射頻GaN(GaN)。GaN是一種III-V技術,其性能優于LDMOS,是5G高頻需求的理想選擇,但GaN價格昂貴,并在制造過程中存在一... (來源:新聞頻道)
5GPA 2020-8-25 15:19
擴展了氮化鎵(GaN)和LDMOS技術產品組合,全面提供各種高功率產品 恩智浦半導體去年擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體(Si-LDMOS)蜂窩基礎設施產品組合,推動創新,以緊湊的封裝提供行業領先的性能,助力下一代5G蜂窩網絡發展。 5G連接涉及頻譜擴展、更高階位調制、載波聚合、全維波束賦形等... (來源:新聞頻道)
5G網絡LDMOS技術頻譜擴展 2019-4-24 10:05
新型射頻解決方案組合提供業界最高的集成度和性能,用于實現經濟高效的大規模MIMO有源天線系統 恩智浦半導體擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體(Si-LDMOS)恩智浦半導體推出的用于實現5G基礎設施的新型射頻前端解決方案。恩智浦的產品組合解決了在開發用于5G大規模多輸入多輸出(mMIMO)的蜂窩... (來源:新聞頻道)
5G技術射頻有源天線系統 2019-4-24 09:50