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作者:Jens Wallmann工業和汽車開關轉換器和電機驅動器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求。設計精良的雙 MOSFET 將兩個 MOSFET 置于在一個封裝內,減小了在印刷電路板 (PCB) 上的占用空間,降低了寄生電感并通過改善散熱性能,取... (來源:技術文章頻道)
MOSFET 開關轉換器 2024-3-28 10:46
專業研發提供節省空間的PoE ASFET和EMC優化型NextPowerS3 MOSFET。 2024年2月29日:Nexperia再次在APEC上展示產品創新,今天宣布發布幾款新型MOSFET,以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍,可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (... (來源:新品頻道)
NexperiaAPEC 2024NextPowerS3 MOSFET 2024-2-29 11:10
現可提供具備高效開關和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封裝基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝,而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性,適用于通信、服務器、工業... (來源:新品頻道)
Nexperia LFPAK56 LFPAK88 封裝系列 2023-6-21 10:45
RDS(on)額外降低40%,功率密度提高58倍,適合電信和熱插拔計算應用基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET),該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝,且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了... (來源:新品頻道)
Nexperia LFPAK88 MOSFET 2023-3-22 14:52
全面優化12V熱插拔和軟啟動應用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA奈梅亨,2022年11月18日:基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合,推出10款全面優化的25V和30V器件。新款器件將業內領先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合,非常適合用于... (來源:新品頻道)
Nexperia 熱插拔 MOSFET (ASFET) 2022-11-18 10:10
在新能源電動車發展趨勢的推動下,對高功率充電的需求日益殷切,而支持高功率密度、高性能和高開關頻率的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET),成為市場上熱門的產品選擇。另一方面,目前市面上已經有眾多利用電池操作的工具與設備,為了提升電池的運作安全性、效率,并提升電池的壽命,必須采用高效的MOSFE... (來源:技術文章頻道)
GaN FET 氮化鎵 電池隔離 2022-10-28 14:08
36V 鋰離子電池是當今工具和戶外動力設備的常用電源。由 36V 電池供電的產品得益于高功率輸出和較長的電池壽命,同時也相對較輕且易于使用。然而,36V 電池的高能量密度也需要實現高效和安全的電池隔離。隔離的需求源于該技術固有的安全風險。鋰離子電池含有易燃電解質:如果損壞或充電或放電不正確,可... (來源:技術文章頻道)
Nexperia MOSFET 電池系統 2022-10-28 10:37
功率氮化鎵技術 功率轉換 電池隔離 2022-10-21 10:48
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增強了SOA性能,適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業設備。 ASFET是一種新型MOSFET,經過優化,可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數,有... (來源:新品頻道)
NexperiaMOSFET 2021-8-4 13:31
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布,位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動,首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr,80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能,新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on... (來源:新品頻道)
NexperiaMOSFET 2021-6-25 13:11
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