氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發揮，主要在消費電子領域內競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。遠山半導體最近發布了新一代高壓... （來源：技術文章頻道）
泰克 半導體實驗室 高壓氮化鎵功率器件 2024-10-18 11:03
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導體的開關損耗。 該 UCC27511 與 UCC27517 驅動器是 TI 最新 UCC2751x 系列的新成員，可有效取代使用雙極... （來源：新品頻道）
TI柵極驅動器 2012-4-23 13:18
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。LM5114 可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅動器 LM5113，可為高性能電信、網... （來源：新品頻道）
TI低側柵極驅動器LM5114 2012-2-10 11:15
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