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作者：Aki Li, Rayna Wang高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正... （來源：技術文章頻道）
GaN 圖騰柱PFC參考設計 2024-1-11 11:30
作者：Steven Keeping對緊湊但功能強大的電機的需求為設計工程師帶來了新的挑戰。為了盡可能提高小型電機的功率輸出，工程師們開始轉向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和集成柵極雙極晶體管 (IGBT) — 它們都是傳統開關模式逆變器（現代電機控制的重要組成部分）的基礎... （來源：技術文章頻道）
GaN HEMT 高頻電機驅動 2021-9-26 10:41
所有功率級設計者期望在開關節點看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關損耗，而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應力。采用TI最新的GaN技術設計，圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。 圖1：TI 600V半橋功率級—... （來源：技術文章頻道）
方波波形開關 GaN FET 2021-4-14 09:27
1 簡介GaN FET 實現了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。為了充分利用 GaN 的快速開關速度，需要更大限度地減小電源環路電感。這需要仔細考慮PCB 布局，并對 GaN FET 采用電感超低的封裝。TI 的 LMG341XRxxx 系列采用 8mm ... （來源：技術文章頻道）
GaN 功率級設計 高頻電源轉換器 2021-3-1 15:10
作者: Serkan Dusmez, Yong Xie, Masoud Beheshti, and Paul在任何電力電子轉換器中，熱設計都是一項重要的考慮因素。熱設計經優化后，工程師能夠將 GaN 用于各種功率級別、拓撲和應用中。此應用手冊論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級系列非常重要的權衡標準和注意事項，包括 ... （來源：技術文章頻道）
GaN 散熱器 2020-12-14 09:31
TI公司的TIDM-02008是采用C2000™ MCU和LMG341xR070600-V 70-mΩGaN FET的雙向高密度GaN晶體管CCM圖騰柱PFC參考設計.具有交錯3.3kW單相雙向無橋CCM圖騰柱PFC級,100kHz脈寬調制(PWM)開關,可編輸出電壓,380V DC為正常輸出值,峰值效率大于98%,總諧波失真(THD)小于2%,支持powerSUITE™,便于容易設... （來源：解決方案頻道）
電源管理AC／DC轉換器GaN FET TI TIDM－02008 2020-10-30 14:41
“GaN 為何這么火？”如果再有人這么問你。最簡單的回答：“因為我們離不開電源，并且我們不斷追求更好的電源系統！” 今天，基于 GaN 器件的快充已在消費電子市場站穩腳跟。 現在，我們把時間撥回到 1928 年。一天，Jonason 等人合成了一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，也就是 GaN。恐... （來源：技術文章頻道）
GaN消費電子工業互聯網 2020-9-11 11:12
受限于有限的空間，要實現一個成功的設計，關鍵之處通常在于減小電源尺寸。人們始終面臨著一個挑戰，即在更小的空間內實現更大的功率。更廣泛地說電源器件的小型化將繼續在現有基礎上推動新的市場和應用 的發展。 數十年來，功率密度變得越來越高，這一行業發展趨勢已成為一個不爭的事實，預計... （來源：技術文章頻道）
功率密度TI 2020-8-25 16:10
TI公司的LMG341xR070是集成了驅動器和保護特性的GaN功率級,在功率電子系統中達到新高度的功率密度和效率.和硅MOSFET相比, LMG341x系列的固有優勢是超低輸入和輸出電容,零反向恢復以降低開關損耗達80%之多,而低開關節點振鈴則降低了EMI.這些優點使得功率密度和拓撲類似于圖騰柱PFC.集成的驅動器具有零共... （來源：解決方案頻道）
電源管理PFC GaNTILMG341xR070TIDM－02008 2020-8-7 13:01
而這種能源使用情況僅代表數據中心。其實，電信、工業自動化、汽車和許多其他系統也同樣需要提供高密度的電源系統。 提高電力傳輸效率的一種方法是利用包括氮化鎵（GaN）在內的新的能源半導體技術。與傳統的硅解決方案相比，GaN在開關性能方面具有本質上優越的器件屬性，當它部署在開... （來源：技術文章頻道）
GaN 2020-7-31 16:29
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