在機器人、無人機、低壓大功率伺服驅動等應用場景中,高效率、高功率密度的電機驅動方案一直是行業追求的焦點。面對日益增長的低壓大功率電機驅動需求,傳統硅基器件在開關頻率、導通損耗和溫升方面逐漸觸及瓶頸。 英諾賽科最新推出的 INNDMD72V200A1 低壓GaN電機驅動方案采用4顆并聯的InnoGaN INN1... (來源:新品頻道)
英諾賽科GaN電機系統 2025-11-20 10:25
全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布,其EcoGaN™ Power Stage IC已應用于包括游戲筆記本電腦在內的MSI(微星)產品的AC適配器。 這款AC適配器由全球領先的電源制造商臺達開發,采用EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G005MUV-LB”,具備高速電源切換... (來源:新品頻道)
羅姆EcoGaNAC適配器 2025-11-6 16:21
隨著人工智能(AI) 與高性能計算(HPC) 的浪潮席卷全球,現代芯片的運算能力達到了前所未有的水準。然而,“性能越大,發熱量越高” 的鐵律,已成為電子產業持續發展中最棘手的挑戰。 過度的熱能使得系統不得不限制CPU 和GPU 的性能,以避免芯片老化。現在,一項來自斯坦福大學的突破性... (來源:技術文章頻道)
計算芯片散熱 2025-10-23 09:19
據IDTechEX最新發布的預測報告顯示,隨著電動汽車市占率持續擴大,產品競爭日益激烈,以碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)為代表的更高性能的功率半導體也被越來越多的車型采用。預計到2036年前,車用功率半導體市場規模將成長三倍之多,達到420億美元。 報告稱,三年前,電動車采用SiC MOSFET(場效晶體... (來源:新聞頻道)
功率半導體 2025-10-23 09:09
近日,國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺(簡稱"國創中心")在氮化鎵/碳化硅集成領域取得重大技術突破,成功研制出商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一突破性成果標志著我國在第三代半導體材料領域取得重要進展,為相關產業鏈上市公司帶來新的... (來源:新聞頻道)
第三代半導體氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:02
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
—— 該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發800VDC供電架構;新發布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優勢 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書,詳解其PowiGaN™氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶... (來源:新聞頻道)
數據中心PowiGaN技術SiC 2025-10-15 13:07
當地時間10月6日,全球領先的納米電子和數字技術研究和創新中心——比利時微電子研究中心(imec)宣布,歡迎 AIXTRON、GlobalFoundries、KLA Corporation、Synopsys 和 Veeco 成為其 300 毫米氮化鎵 (GaN) 低壓和高壓電力電子應用開放式創新計劃軌道的首批合作伙伴。 △AIXTRON(愛... (來源:新聞頻道)
imecGaN功率器件 2025-10-9 11:05
作者:安森美 在科技演進浪潮中,能源技術已逐漸成為現代產業發展的核心驅動力。從移動設備到云服務器,從電動車到智慧城市,科技產品日益強調效能、速度與可持續能源的平衡,而這一切的背后都需要更高效、更穩定的電源轉換技術。 隨著各種應用對能源效率與功率密度的要求不斷提高,傳... (來源:技術文章頻道)
iGaN適配器安森美 2025-8-22 12:09
作者:安森美 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作,從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... (來源:技術文章頻道)
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17