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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產品，它們與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成... （來源：新品頻道）
東芝MOSFET 2022-1-26 13:59
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。 為達到175℃的通道溫度，該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV（... （來源：新品頻道）
東芝MOSFETMG800FXF2YMS3 2021-2-25 14:54
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