第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會... （來源：技術文章頻道）
功率MOS管二極管 2023-5-15 11:14
MOS管損壞 電涌電壓 2022-8-22 09:26
1、引言靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會給電子器件帶來破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環境并未改變，因此要進一... （來源：技術文章頻道）
CMOS電路設計ESD保護 2021-11-30 09:48
功率MOS在使用過程中是否能夠安全持續的工作，是設計者必須要考慮的問題，設計者在應用MOS時，必須考慮MOS的SOA區間，我們知道開關電源中的MOS長期工作在高電流高電壓下，很容易出現過熱燒毀的情況，如果散熱不及時的話，很容易發生爆炸。 那什么是MOS的安全工作區域呢？我們稱為SOA （Safe opera... （來源：技術文章頻道）
MOS管SOA 2021-4-1 09:56
第一種：雪崩破壞 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。 在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模... （來源：技術文章頻道）
MOS管電涌電壓DSS 2019-12-27 14:20
關于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一，于是我們整理了常見及不常見的MOS管的相關知識，希望對各位工程師有所幫助。下面讓我們一起來聊聊MOS管這個非常重要的元器件吧。 防靜電保護 MOS管是屬于絕緣柵場效應管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產生較高的電壓將柵極和源極... （來源：技術文章頻道）
萬用表MOS管元器件 2019-10-21 11:21
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