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隨著MOSFET柵極長度的減小,熱載流子誘發的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中,載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數的時間相關位移,例如閾值電壓 (VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移,可能會發生... (來源:技術文章頻道)
測試 MOSFET衰退半導體 2024-9-19 13:12
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