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青島西海岸新區舉辦二季度重大項目簽約暨開工現場推進會。現場共簽約29個項目、總投資441億元；開工30個項目、總投資331億元。其中，致真存儲芯片項目簽約青島西海岸新區，總投資28.5億元，分兩期在新區建設8英寸、12英寸新一代存儲芯片生產線及研發中心，所產芯片將極大提升物聯網及汽車芯片存儲器性能... （來源：新聞頻道）
致真存儲芯片項目 2023-4-24 13:52
據媒體昨日報道，專注于 MRAM 及相關產品設計開發的 Fabless 企業亙存科技，目前完成了由深圳高新投正軒基金領投，正軒投資、百度風投、老股東普華資本及陸石投資跟投的數千萬元 Pre-A 輪融資。本輪融資主要用于芯片優化、迭代以及團隊擴充。 亙存科技成立于 2019 年，總部位于深圳，在上海... （來源：新聞頻道）
MRAM芯片亙存科技 2021-11-2 09:38
近年來，在人工智能（AI）、5G等推動下，以MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）、鐵電隨機存取存儲器 (FRAM)、相變隨機存取存儲器（PRAM），以及可變電阻式隨機存取存儲器（RRAM）為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括臺積電、英特爾、三星和格芯（... （來源：新聞頻道）
MRAM 2020-8-13 11:04
GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美S... （來源：新聞頻道）
GF 12nm工藝MRAM芯片 2020-3-16 14:12
說到存儲芯片，目前主要是指DRAM內存、NAND閃存及少部分NOR閃存，內存速度極快但成本貴，而且斷電不能保存數據，NAND、NOR閃存可以保存數據，成本也廉價，不過性能、延遲是沒法跟內存相比的。在這些存儲芯片之外，業界還在開發各種新一代芯片，比如MRAM磁阻內存、ReRAM電阻式內存、PCRAM相變內存（Inte... （來源：新聞頻道）
存儲芯片 DRAM內存 2019-7-15 09:24
閃存 百科名片 閃存芯片 閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為字節存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦... （來源：電子百科頻道）
閃存存儲器 2011-8-16 11:49
10月27日訊,Motorola公司推出業界首個4Mb的磁阻型隨機存取存儲器(MRAM)芯片,現在可向有選擇的客戶提供樣品. 4Mb MRAM芯片是采用o.18um技術制造.MRAM是一種革命性存儲器技術,它具有難以置信的持久性和速度,能替代今天的半導體存儲器技術.MRAM在單一芯片組合了三種主要存儲器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的... （來源：新品頻道）
2003-10-28 14:11
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