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納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N,該芯片集成正負壓穩壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力,可以顯著簡化GaN驅動電路設計,提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... (來源:新品頻道)
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
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