前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
從服務(wù)器到個人電腦，再到帶獨立緩存的固態(tài)硬盤，高效的易失性存儲DRAM內(nèi)存都是不可或缺的重要加速方案之一。鎧俠在近日宣布，已開發(fā)出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半導(dǎo)體晶體管 DRAM）技術(shù)，這是一種新型4F² DRAM，由兼具高導(dǎo)通電流和超低漏電流的... （來源：新聞頻道）
鎧俠 DRAM OCTRAM 2024-12-30 10:00
縱觀2024年，存儲技術(shù)升級已經(jīng)給AI計算、云端應(yīng)用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級UFS 4.0推動行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH™ QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應(yīng)用需求... （來源：新聞頻道）
SSD 鎧俠 2024-12-27 09:40
存儲器解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者Kioxia Corporation今天宣布開發(fā)出OCTRAM（氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM），這種新型4F2 DRAM由同時具有高導(dǎo)通電流和超低關(guān)斷電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管組成。該技術(shù)有望通過發(fā)揮InGaZnO*1晶體管的超低泄漏特性來實現(xiàn)低功耗DRAM。這一消息是在2024年12月9日于加州舊金... （來源：新聞頻道）
Kioxia OCTRAM DRAM 2024-12-12 09:25
展示面向 AI、計算和存儲系統(tǒng)的創(chuàng)新應(yīng)用Kioxia Corporation 是全球存儲器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，公司今日宣布，其研究論文已被 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 2024 接受發(fā)表。IEDM 2024 是享譽全球的國際盛會，將于 12 月 7 日 至 11 日 在美國舊金山舉行。 存儲器層次結(jié)構(gòu)（圖示：美國商業(yè)... （來源：新聞頻道）
KIOXIA IEDM 2024 存儲器 2024-10-24 10:46
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導(dǎo)航 手機中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到4條【OCTRAM】相關(guān)的全部。
查看關(guān)鍵詞的分類頻道
中電網(wǎng)官方微博