引言自從1989年國際整流器公司(IR)率先推出首款單片式高壓驅動產品以來，高壓集成電路(HVIC)技術就開始利用獲得專利的單片式結構，集成雙極器件、CMOS及橫向DMOS器件，設計出了擊穿電壓分別高于700V和1400V的產品；這些高壓驅動芯片可以工作在600V和1200V偏置電壓下。2016年英飛凌完全收購IR后，英飛凌... （來源：技術文章頻道）
PN結隔離(JI)技術 驅動芯片 2022-4-11 14:15
作者：沈嵩 李青霞 在之前的技術文章中，介紹了驅動芯片的概覽和PN結隔離(JI)技術，本文會繼續介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅動芯片技術。高壓柵極驅動IC的技術經過長期的發展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統的導... （來源：技術文章頻道）
絕緣體上硅（SOI） 驅動芯片技術 2022-4-1 15:10
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