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作者：Edwin Omoruyi，高級(jí)應(yīng)用工程師 問(wèn)題 人工智能(AI)應(yīng)用對(duì)高性能內(nèi)存，特別是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長(zhǎng)，這是否會(huì)導(dǎo)致自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)廠商的設(shè)計(jì)變得更加復(fù)雜？ 回答 AI需要高密度和高帶寬來(lái)高效處理數(shù)據(jù)，因此HBM至關(guān)重要。ATE廠商及其開(kāi)發(fā)的系統(tǒng)需要跟上... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
自動(dòng)測(cè)試設(shè)備PhotoMOSAI人工智能 2025-5-29 13:03
作者：Edwin Omoruyi，高級(jí)應(yīng)用工程師 摘要 本文提出，CMOS開(kāi)關(guān)可以取代自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)廠商使用的PhotoMOS®開(kāi)關(guān)。CMOS開(kāi)關(guān)的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進(jìn)內(nèi)存測(cè)試時(shí)代ATE廠商不斷升級(jí)的需求。 簡(jiǎn)介 人工智能... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用PhotoMOS開(kāi)關(guān) 2025-2-19 15:00
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來(lái)衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS®、OptoMOS®、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見(jiàn)的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱(chēng)為輸出電容COUT。CMOS開(kāi)關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
固態(tài)繼電器 CMOS開(kāi)關(guān) ADI 2024-4-22 15:02
作者：Jens Wallmann集成電路 (IC) 降低了硬件開(kāi)發(fā)成本，促進(jìn)了電子設(shè)備的小型化并具有廣泛的功能，因此比以往任何時(shí)候都更加搶手。為確保大批量生產(chǎn)的質(zhì)量，半導(dǎo)體制造商需要可靠、緊湊的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 (ATE) ，能夠在保持信號(hào)低電平、信號(hào)高電平且損耗最小的情況下快速開(kāi)關(guān)高頻 AC 和 DC 電... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
SSR 半導(dǎo)體 自動(dòng)測(cè)試 2024-2-18 10:42
Circuits from the Lab®參考設(shè)計(jì)是經(jīng)過(guò)測(cè)試的參考設(shè)計(jì)，有助于加速設(shè)計(jì)，同時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成，幫助解決當(dāng)今的模擬、混合信號(hào)和RF設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。如需更多信息和/或技術(shù)支持，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.analog.com/CN0401。 連接/參考器件 ADM3055E 5 kV rms信號(hào)和電源隔離CAN收發(fā)器，適用于CAN FD 具有可切... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
電路筆記CN－0401 2023-9-7 16:05
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件™的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 備貨Panasonic Corporation各類(lèi)創(chuàng)新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品擁有出色的性能、質(zhì)量和可靠性，為幾乎所有行業(yè)的客戶(hù)提供了出色的解決方案，包括汽車(chē)、工業(yè)、電源和傳感器系統(tǒng)以及智能家居應(yīng)用。貿(mào)澤備有Panason... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
貿(mào)澤電子Panasonic 電容器 繼電器 2023-4-10 16:20
作者：ADI產(chǎn)品應(yīng)用工程師Stephen Nugent源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來(lái)衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS®、OptoMOS®、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見(jiàn)的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱(chēng)為輸出電容COUT。CMOS開(kāi)關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
CMOS開(kāi)關(guān) 固態(tài)繼電器 2023-1-17 17:05
松下公司宣布它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出業(yè)界更小的半導(dǎo)體器件，在“PhotoMOS”[1] CC型系列，實(shí)現(xiàn)了低消耗電流，有助于瘦身設(shè)備。繼電器具有低消耗電流動(dòng)作，其結(jié)果，電池操作的設(shè)備的工作時(shí)間更長(zhǎng)。它能夠穩(wěn)定運(yùn)行的測(cè)量設(shè)備，探針卡[2]，可穿戴設(shè)備，安全設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備。 該P(yáng)hotoMOS CC型系列將被運(yùn)2015年5月。 ... （來(lái)源：新品頻道）
PhotoMOS松下可穿戴設(shè)備醫(yī)療設(shè)備電池 2015-5-11 10:22
光耦繼電器也就無(wú)觸點(diǎn)繼電器，它的驅(qū)動(dòng)部分具有光耦特性,抑制干擾傳輸。可以用來(lái)控制各種負(fù)載。 光耦繼電器 光耦繼電器的定義 光耦繼電器是用光耦來(lái)控制開(kāi)光狀態(tài)的固態(tài)繼電器。 光耦繼電器的優(yōu)點(diǎn) 1.無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)，故... （來(lái)源：電子百科頻道）
光耦繼電器驅(qū)動(dòng)歐姆龍 2011-11-17 15:17
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固態(tài)繼電器 CMOS開(kāi)關(guān) ADI 2024-4-22 15:02
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