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QJD1210006和QJD1210007碳化硅(SiC) MOSFET模塊工作溫度范圍為–40°~200°C,遠遠超過那些基于硅IGBT的模塊。該模塊采用半橋配置,每個模塊有兩個開關,每個開關的SiC MOSFET電流為100 A。與同類型的硅IGBT模塊(工作在150°C的結溫)相比,工作在20kHz時,基于SiC MOSFET模塊的傳導損耗要低38%,開關損耗要... (來源:新品頻道)
Powerex 雙SiC MOSFET模塊QJD1210006QJD1210007 2009-11-9 14:35
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