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↓在全部中搜索到 13 條關于“RE01”的信息，用時:0.026 sec.

瑞薩電子擴展“云實驗室”，重塑遠程設計

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團（TSE：6723）今日宣布，擴展倍受歡迎的“云實驗室”，以簡化配置和測試流程，加快產品上市速度。瑞薩借助先進GUI功能和全新設計參數增強其遠程實驗室，打造更具吸引力且更符合用戶使用習慣的用戶體驗，并為設計者帶來更高配置靈活性。云實驗室讓用戶能夠在...
瑞薩電子云實驗室 2021-09-07

[原創]Renesas RE01 1500KB業界能效最高ARM MCU開發方案

Renesas公司的RE01 1500KB是基于薄埋層氧化物上硅(SOTB)工藝技術的能效最高的Arm® Cortex®-M0+ MCU,在有源和待機狀態下具有超低電流功耗,以及在低工作電壓(1.62V)下高速工作頻率64MHz.RE01 1500KB極大地延長了電池壽命,提供高性能.片上的1.5MB閃存滿足需要存儲大量數據如圖像信息的應用.RE01 1...
Arm Cortex－M0＋MCU物聯網(IoT)智能家庭智能農業RenesasRE01 2020-12-02

瑞薩電子擴展超低功耗嵌入式控制器RE產品家族推出具有世界一流能效比的全新產品

全新RE01在EEMBCULPMark-CP基準測試認證中獲得705分全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團（TSE：6723）今日宣布，擴展其超低功耗嵌入式控制器RE產品家族，推出采用瑞薩突破性的SOTBTM（Silicon on Thin Buried Oxide薄氧化埋層覆硅）制程工藝、基于Arm® Cortex®-M0+內核構建的新品。該R...
瑞薩電子嵌入式控制器RE01 2020-07-02

[原創] Renesas RE01系列64 MHz 32位ARM MCU開發方案

Renesas公司的RE01系列是采用創新SOTB™技術并實現了超低工作電流和超低待機電流以及高速工作(最大64MHz)的32位ARM MCU,工作電壓1.62V.其嵌入的控制器可有能量收獲來工作.RE01系列配備了能量收獲控制電路,超低功耗14位ADC(大約4uA),閃存(重寫低于是1mA),并行MIP-LCD接口,2D圖像,改善時鐘的UI和安全...
ARM Cortex－M0+ MCUUSB 2．0可穿戴家用電器 2019-12-03

瑞薩電子RE微處理器榮獲2019Aspencore全球電子成就獎

這款基于瑞薩獨有的SOTB™制程工藝的能量收集嵌入式控制器產品獲得年度微控制器產品獎全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布，基于瑞薩獨有的SOTB™（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋層覆硅）制程工藝的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE榮獲由全球電子...
瑞薩電子RE微處理器SOTB制程工藝 2019-11-14

[原創] Renesas RE01 Group系列32位ARM MCU開發方案

Renesas公司的RE01 Group系列是采用創新的SOTB™工藝,具有超低的工作電流和超低的待機電流,低壓1.2V時具有高工作頻率,最大64MHz.器件集成了32位Arm® Cortex®-M0+ MCU,1.5MB閃存,256KB SRAM,能量收獲控制電路,MIP LCD控制器,2D圖像引擎,14位超低功耗ADC,基準電壓發生電路,RTC,次時鐘修正電...
Arm Cortex－ M0+ MCU可穿戴設備家用電器 2019-11-11

瑞薩電子整合其基于SOTB制程工藝的能量收集嵌入式控制器產品，推出全新命名的RE產品家族

全新評估套件為免電池維護的物聯網設備開發提供強大支持全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布推出全新命名的RE產品家族，涵蓋公司全線能量收集嵌入式控制器產品。RE產品家族基于瑞薩獨有的SOTB™（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋層覆硅）制程工藝，可顯著...
瑞薩電子嵌入式控制器“SOTB RE產品家族” 2019-10-31

--BBS主題帖: ds18b20匯編程序與c程序

ds18b20 c程序 //DS1820 C51 子程序 //這里以11.0592M晶體為例，不同的晶體速度可能需要調整延時的時間 //sbit DQ =P2^1;//根據實際情況定義端口 typedef unsigned char byte; typedef unsigned int word; //延時 void delay(word useconds) { for(;useconds>0;useconds--); } /...
2011-12-14

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