電子系統工程師們正在適應5G基站設計領域的重大變革；包括發射/接收通道的數量從4個激增至高達256個。同時，這些基站的頻率范圍也有所提升，從原先的1GHz擴展到現在的3-4GHz，并有望達到7GHz。隨著更多通道的引入（如上述256個收發通道這樣的配置），對既高效又具備精確信號能力的功率放大器的需求也愈... （來源：技術文章頻道）
GaN技術5G基站系統 2024-5-24 11:26
Freescale半導體引入兩個末級LDMOS RF功率晶體管，為設計人員提供介于分離式和集成式電路解決方案之間的選擇。此選擇隨同提供兩個參考設計，為設計人員帶來更好的靈活性，并且有助于縮短上市時間。新晶體管經過優化，用于基于時分同步碼分多址技術（TD-SCDMA）的功率放大器。而TD-SCDMA則是目前中... （來源：新品頻道）
FreescaleTD-SCDMA 無線網絡RF功率器件參考設計 2009-8-31 15:25
飛思卡爾半導體推出適用于L波段雷達應用的50V LDMOS RF功率晶體管產品的神秘面紗。這一產品線非常適合于各種高功率RF應用，包括空中交通管理和長射程氣象雷達。 RF產品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅動。當頻率在1200 － 1400 MHz之間時， MRF6V14300H生成330 W的RF脈沖輸出功率；與競爭性雙... （來源：新品頻道）
L波段雷達LDMOS功率晶體管MRF6V10010NMRF6V14300H 2008-6-5 15:54
用于寬帶和商業無線基礎設施市場的GaN-on-Silicon RF功率器件領先的生產商Nitronex公司，開發了一款氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT），28V時可提供45W，用于高PAR（功率峰均比）以及脈沖應用。NPT1004使用具有專利的SIGANTIC NRF1工藝設計，一個DC到4 GHz的寬帶高功率密度GaN-on-Si HEMT，采用成本有效... （來源：新品頻道）
GaN-on-Silicon RF功率三極管 2008-4-2 14:50
搜索到4條【RF功率器件】相關的全部。
搜索到4條【RF功率器件】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
