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對于模擬CMOS（互補(bǔ)對稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓（信號電壓超過電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對。靜電由靜電荷積累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的靜電電壓帶來的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項危害在正常工作的電路中是很小... （來源：技術(shù)文章頻道）
CMOS 電源電壓 2022-7-12 09:17
本應(yīng)用筆記介紹了模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸入緩沖器和保護(hù)技術(shù)，旨在最大程度地獲得可靠的數(shù)據(jù)采集。該文檔還簡要描述了SCR閂鎖（這是創(chuàng)建低阻抗路徑）以及不同的輸入保護(hù)技術(shù)，以確保ADC輸入電壓不超過轉(zhuǎn)換器的電源電壓。ADC的輸入緩沖器和保護(hù)電路的設(shè)計對于優(yōu)化和可靠的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)至關(guān)重要。Crystal Semicondu... （來源：技術(shù)文章頻道）
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 SCR閂鎖 2021-8-30 09:26
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