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↓在全部中搜索到 1703 條關于“SK”的信息，用時:0.033 sec.

SK啟方半導體推出能夠測量速度和方向的3D霍爾效應傳感器技術

韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今天宣布，該公司為其代工廠客戶提供一種新型3D霍爾效應傳感器技術，可通過三維磁場檢測來測量速度和方向。霍爾效應傳感器是一種利用霍爾效應測量磁場強度的裝置，能夠檢測到當導體或半導體穿過磁場時產生的電壓差。所測量的磁場被應用于那些利用...
SK啟方半導體3D霍爾效應傳感器技術 2025-03-07

SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺積電負責制造

據報道，SK海力士已經準備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標準，由臺積電（TSMC）負責制造，選擇更為先進的工藝。同時，SK海力士還在積極推進2.5D和扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術的開發，并計劃將相關芯片技術商業化。據消息透露，SK海力士計劃從2025年第一季度末開始...
SK海力士自研CXL控制器 2025-02-20

SK化學，攜手現代汽車開發可持續汽車

"汽車也適用循環再利用技術"• 通過與現代汽車的合作，完成了應用循環再利用技術的汽車研究項目• 掌握了從報廢汽車回收到再利用的全過程技術… 計劃拓展至服裝、電子設備等領域韓國代表性化工企業與汽車企業，為了實現循環經濟而攜手合作。SK化學（首席執行官安宰炫）于4日宣布...
SK化學現代汽車 2024-12-11

消息稱三星和SK海力士合作推動LPDDR6-PIM內存

三星電子和SK海力士正在合作共同推動LPDDR6-PIM內存的標準化。雙方的合作旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。據悉，三星電子和SK海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作，目前雙方正在討論確定每項標準的具體規格。三星電子...
SK海力士三星 2024-12-05

SK chemicals的循環再生技術視頻在“2024國際商業大獎”中榮獲金獎

• 獲獎視頻展示了循環再生業務的愿景與解決方案• 因"有效呈現SK chemicals創新的再生解決方案"而備受贊譽SK chemicals的專有循環再生技術視頻在一項國際競賽中贏得大獎。 SK chemicals的循環再生技術視頻在"2024國際商業大獎"中榮獲金獎 SK chemicals（首席執行官兼總裁：Ahn Jae-hyun）...
SK chemicals2024國際商業大獎 2024-10-25

SK啟方半導體推出HVIC工藝技術，擴大高壓代工服務組合

韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體 (SK keyfoundry) 今日宣布推出HVIC（高壓集成電路）工藝技術，從而擴大和增強了高壓代工服務組合。SK啟方半導體的HVIC工藝特點在于，它可以在一個工藝中實現5V邏輯、25V高壓器件、650V+ nLDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體）以及650V以上自舉二極管，這使得客...
SK啟方半導體HVIC工藝技術 2024-10-25

SK啟方半導體推出第四代0.18微米BCD工藝

為提高移動和汽車功率半導體性能提供了解決方案韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD工藝，性能較之前的第三代提升了約20%。借此，SK啟方半導體為提高移動和汽車功率半導體性能提供了解決方案。SK啟方半導體的第四代0.18微米BCD工藝提供高達40V的功率器件...
SK啟方半導體BCD工藝 2024-09-11

SK海力士將開發性能高30倍HBM

SK海力士副社長柳成洙（Ryu Seong-su）在論壇上公開表示，SK海力士要開發比目前的HBM性能高30倍的產品。柳成洙表示，SK海力士的目標是開發出比現有HBM性能高出20~30倍的產品，并專注于推出差異化產品。報道稱，SK海力士根據客戶的具體需求，正在準備定制HBM第6代HBM4。據悉，SK海力士的HBM受到了包括蘋...
HBMSK海力士 2024-08-21

SK海力士宣布于第三季度量產GDDR7 DRAM芯片

7月30日，SK海力士宣布推出了全球最高性能的新一代顯存產品GDDR7，將于今年第三季度開始量產，將適用于圖形處理、人工智能、高性能計算、自動駕駛等多種領域。（圖源：SK Hynix）據介紹，GDDR7實現了高達32Gbps的運行速度，其與前一代相比提高了60%以上，根據使用環境速度最高可達40Gbps。該產品搭...
SK海力士GDDR7 DRAM芯片 2024-07-31

SK啟方半導體加大力度開發GaN新一代功率半導體

韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導體（SK keyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導體GaN（氮化鎵）的關鍵器件特性。公司正在加大GaN的開發力度，力爭在年內完成開發工作。SK啟方半導體持續關注著GaN功率半導體的市場和潛力。為此，公司于2022年成立了一個專職團隊來推動GaN工藝的開發。日前，公司已得...
SK啟方半導體功率半導體GaN 2024-06-19

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