前往首頁 聯系我們 網站地圖
意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術,引入氧化物填充溝槽工藝,集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身,實現高效的開關性能。因此,STL120N10... (來源:新品頻道)
意法半導體STL120N10F8STripFET F8晶體管 2023-5-24 15:38
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099