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據(jù)“天岳先進(jìn)”官方微信公眾號(hào)消息,8月22日,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱"東芝電子元件")與山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱"天岳先進(jìn)")就天岳先進(jìn)開(kāi)發(fā)制造的SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本協(xié)議,雙方將開(kāi)展以下合作:針對(duì)SiC功率半導(dǎo)體特性提升與... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
天岳先進(jìn)東芝電子 2025-8-25 11:12
在功率電子領(lǐng)域,要論如今炙手可熱的器件,SiC要說(shuō)是第二,就沒(méi)有人敢說(shuō)第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限,由第三代SiC功率器件接棒來(lái)沖刺更高的性能,已經(jīng)是大勢(shì)所趨。與傳統(tǒng)的Si材料相比,SiC具有更寬的禁帶,以及更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率和工作溫度,這決定了基于SiC的功率器... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
SiC 功率半導(dǎo)體 2023-8-30 16:05
圖源:stock.adobe.com/Grispb 第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體,該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV,因此也被稱為寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料。與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比,GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
半導(dǎo)體器件功率電子5G新能源汽車 2022-1-24 10:08
據(jù)臺(tái)媒moneyDJ報(bào)道,因?yàn)殡妱?dòng)車普及加持,帶動(dòng)車用功率模組(Power Module、以下簡(jiǎn)稱PM)市場(chǎng)將逐年擴(kuò)大、2030年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將暴增4.6倍,其中2030年采用碳化硅(SiC)制功率半導(dǎo)體的SiC-PM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將飆增17倍、超越采用硅(Si)制功率半導(dǎo)體的Si-PM市場(chǎng)。 日本民間調(diào)查機(jī)構(gòu)矢野經(jīng)濟(jì)研究所24日公... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
電動(dòng)車SiC市場(chǎng) 2021-11-25 15:18
據(jù)DIGITIMES Research預(yù)測(cè),碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將起飛,而電動(dòng)車領(lǐng)域?qū)⒊蔀橹饕?qū)動(dòng)力。SiC功率半導(dǎo)體具耐高溫、耐高電壓、切換速度快,可降低電力傳輸或轉(zhuǎn)換時(shí)能量損耗等優(yōu)點(diǎn),已成為以節(jié)能為要求的太陽(yáng)能、電動(dòng)車及充電基礎(chǔ)建設(shè)、智慧電網(wǎng)等領(lǐng)域倍受關(guān)注的新興產(chǎn)品。 DIGITIMES Research副... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
SiC功率半導(dǎo)體 充電基礎(chǔ)建設(shè) 智慧電網(wǎng) 2019-7-15 09:47
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體具耐高溫、耐高電壓、切換速度快,可降低電力傳輸或轉(zhuǎn)換時(shí)能量損耗等優(yōu)點(diǎn),已成為節(jié)能訴求的太陽(yáng)能、電動(dòng)車及充電基礎(chǔ)建設(shè)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域關(guān)注的新興產(chǎn)品。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估,隨廠商大舉擴(kuò)產(chǎn),未來(lái)10年,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將大增約10倍。以市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)向分析,2018年全球SiC功... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)汽車電動(dòng)化智能電網(wǎng) 2019-7-12 09:33
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