SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一,外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積(CVD),本文簡要介紹其生產過程及注意事項。SiC有多種穩定的晶體多型(polytype)。因此,為了使獲得的外延生長層能夠繼承SiC襯底的特定晶體多型,需要將襯底的原子三維... (來源:技術文章頻道)
SiC器件 SiC外延生長技術 2024-11-7 10:41