前往首頁 聯系我們 網站地圖
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產過程及注意事項。SiC有多種穩定的晶體多型（polytype）。因此，為了使獲得的外延生長層能夠繼承SiC襯底的特定晶體多型，需要將襯底的原子三維... （來源：技術文章頻道）
SiC器件 SiC外延生長技術 2024-11-7 10:41
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到1條【SiC外延生長技術】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博