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作者：Pete LoseeSiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最... （來源：技術文章頻道）
SiC－FET TOLL封裝 碳化硅 2023-9-8 11:13
2022 年 12 月 6 - 7 日，中國電工技術學會低壓電器專業委員會第二十一屆學術年會、第十七屆中國智能電工技術論壇暨固態新型斷路器技術發展及應用國際研討會（第二季）于江蘇常州順利召開。作為一場行業盛會，該會議主要圍繞固態/混合式新型斷路器的最新技術、前沿標準、全新檢測業務方向等相關解決方案... （來源：技術文章頻道）
電路保護SiC－FETs 2022-12-28 17:02
如果詢問任何功率電子器件設計師他們追求什么，轉換效率通常都會名列前茅。高效率不僅能節能，還有附帶好處，即打造更小、更輕、更便宜的產品，而釋放的空間還可用于提高可靠性和增加功能。實際上有些應用受益匪淺，如電動車，它的單次充電行駛里程會有所提高，還有數據中心，其中的電子器件和必要空調... （來源：技術文章頻道）
功率轉換 SiC－FET 2022-9-30 10:48
UnitedSiC（現為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝的9mOhm導通電阻，擴大了性能領先地位。 新型碳化硅 FET 采用標準分立式封裝。提供業界額定值最低的 RDS（on），是同類產品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時間額定... （來源：技術文章頻道）
SiC－FET 碳化硅 2022-8-1 14:17
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