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↓在全部中搜索到 26 條關(guān)于“SiCMOSFET”的信息，用時:0.028 sec.

[原創(chuàng)]On Semi NCP51561SiCMOSFET隔離柵極驅(qū)動器解決方案

On Semi公司的NCP51561是分別具有4.5A源電流和9A沉峰值電流的隔離雙路柵極驅(qū)動器,電流隔離為5 kVrms.設(shè)計用來開速開關(guān)驅(qū)動功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶體管.器件提供短和匹配的傳輸時延.從輸入到每個輸出的電流隔離為5 kVrms,而兩個輸出驅(qū)動器間的內(nèi)部功能隔離允許工作電壓高達1500VDC.該驅(qū)動器可配置成...
電源管理SiCMOSFET柵極驅(qū)動器On SemiNCP51561SiCMOSFET 2021-07-28

賦能未來，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiCMOSFET十周年文章

全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour 博士發(fā)表了以《賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索》為題的文章。 John Palmour 博士, 科銳聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官近二十年研發(fā)路，厚積薄發(fā) 在2011年，在經(jīng)過了將近二十年的研發(fā)...
科銳 2021-03-17

[原創(chuàng)]TI UCC5870－Q1單路高效SiCMOSFET和IGBT柵極驅(qū)動方案

TI公司的UCC5870-Q1是單路高效高度可配置的單路柵極驅(qū)動器,主要用于電動汽車/混合動力汽車的大功率SiCMOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動.功率晶體管的保護如基于并聯(lián)電阻的過流,基于NTC的超溫和DESAT檢測,包括可選擇軟關(guān)斷或兩級斷開.為了進一步降低應(yīng)用尺寸,UCC5870-Q1集成了開關(guān)時的4A有源米勒箝位和驅(qū)動器未加...
汽車電子電動汽車EV／HEVSiCMOSFETIGBTTIUCC5870－Q1 2020-11-20

Power Integrations宣布旗下適用于SiCMOSFET的SCALE－iDriver現(xiàn)已通過AEC－Q100汽車級認證

外形緊湊、堅固耐用的隔離型SiCMOSFET驅(qū)動器集成了有源鉗位并且短路關(guān)斷時間<2µs深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動器SIC118xKQ SCALE-iDriver™現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認證。新品...
Power Integrations隔離型SiCMOSFET驅(qū)動器SIC118xKQ SCALE－iDr... 2020-03-18

滿足新能源汽車應(yīng)用的SiCMOSFET系列產(chǎn)品

世紀(jì)金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進行垂直整合，全面推進從產(chǎn)業(yè)源頭到末端...
碳化硅單晶襯底片碳化硅功率器件慕尼黑上海電子展 2019-03-12

--BBS主題帖: 一位德國老專家眼中的功率器件技術(shù)之美

[font="][size=8.5pt]“[/size][/font][font=Arial][size=8.5pt]抱歉我不會講中文，我的英文也不是很標(biāo)準(zhǔn)，但是我相信臺下的同學(xué)們的能力，應(yīng)該聽得懂接下來我要講的內(nèi)容。[/size][/font][font="][size=8.5pt]”5[/size][/font][font=Arial][size=8.5pt]月[/size][/font][font="][size=8.5...
2014-07-06

--BBS主題帖: GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場未來十年將以18%的速度穩(wěn)增

[font=Arial, 宋體]在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。　　　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售...
2013-05-26

--BBS主題帖: 我國電力電子技術(shù)與國外的差距

　我國電力電子技術(shù)與國外的差距　　(1)電力電子器件方面　　晶閘管類器件產(chǎn)業(yè)成熟，種類齊全，質(zhì)量可靠，可滿足國內(nèi)的需求，6寸電控[url=http://www.p-e-china.com/][color=#000000]晶閘管[/color][/url]技術(shù)水平居世界前列。國內(nèi)生產(chǎn)晶閘管類器件的廠家不少，但與發(fā)達國家有競爭力的廠家不多。 ...
2013-01-24

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