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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有為PWM優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。 器件的工作頻率超過1MHz,效率大于93%。所有這些都集成在低外形、熱增強型PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝里。新的Si... (來源:新品頻道)
VishayDrMOSSiC779CD 2011-5-11 09:35
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