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器件占位面積小,采用BWL設計,ID高達795 A,可提高功率密度,而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E,該器件擁有優(yōu)... (來源:新品頻道)
Vishay 40 V MOSFET SiJK140E 2024-12-5 10:28
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