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TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封裝，RthJC低至0.45 °C/W，ID高達144 A，從而提高功率密度日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET® Gen V N溝道功率MOSF... （來源：新品頻道）
Vishay 150 V MOSFET SiRS5700DP 2024-11-21 11:00
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