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Vishay推出先進的30 V N溝道MOSFET，進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效

• 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW，比...
• VishayMOSFETSiSS52DN 2021-05-25