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瑞薩電子推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力， 適用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)應(yīng)用

基于成熟的SuperGaN技術(shù)，650V第四代增強(qiáng)型產(chǎn)品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強(qiáng)勁性能 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型... （來源：新品頻道）

瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42