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↓在全部中搜索到 15 條關于“VMOSFET”的信息，用時:0.045 sec.

VMOS場效應管的檢測方法

一、用指針式萬用表對場效應管進行判別（1）用測電阻法判別結型場效應管的電極根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩...
VMOS場效應測電阻法 2022-08-01

安森美發布高性能、低損耗的SUPERFET VMOSFET系列，應用于服務器和電信

領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發布新的600 V SUPERFET® VMOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組--FAST、Easy Drive和FRFET經過優化，可在...
MOSFET安森美SUPERFETVMOSFET 2021-12-08

COOL MOSFET的EMI設計指南!

本文簡述功率在轉換器電路中的轉換傳輸過程，針對開關器件 MOSFET 在導通和關斷瞬間，產生電壓和電流尖峰的問題，進而產生電磁干擾現象，通過對比傳統平面 MOSFET 與超結 MOSFET 的結構和參數，尋找使用超結 MOSFET 產生更差。本文簡述功率在轉換器電路中的轉換傳輸過程，針對開關器件 MOSFET 在導通和...
COOL MOSFET開關電源EMI設計電容 2021-05-27

D類功率放大器電路設計與調試

D類放大器是一種將輸入模擬音頻信號或PCM數字信息變換成PWM或PDM的脈沖信號，然后用PWM的脈沖信號去控制大功率開關器件通/斷音頻功率放大器。本文主要介紹了其設計方法。　　1 系統設計　　1.1 總體設計分析　　本系統由高效率功率放大器（D類音頻功率放大器）、信號變換電路、外接測試儀表組成，系統框...
2016-02-19

--BBS主題帖: MOS管工作原理，就是這么簡單

1. [url=http://www.eepw.com.cn/news/listbylabel/label/MOS%E7%AE%A1][i]MOS管[/i][/url][url=http://www.eepw.com.cn/news/listbylabel/label/%E5%B7%A5%E4%BD%9C%E5%8E%9F%E7%90%86][i]工作原理[/i][/url]--[url=http://www.eepw.com.cn/news/listbylabel/label/MOS%E7%AE%A1][i]MOS管[/i][/url]簡...
2015-10-14

--BBS主題帖: MOSFET結構

[b]1.MOSFET的工作原理[/b]　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。　　功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕...
2015-07-29

--BBS主題帖: MOS管工作原理，就是這么簡單

[size=14px]1. [url=http://www.eepw.com.cn/news/listbylabel/label/MOS%E7%AE%A1][i]MOS管[/i][/url][url=http://www.eepw.com.cn/news/listbylabel/label/%E5%B7%A5%E4%BD%9C%E5%8E%9F%E7%90%86][i]工作原理[/i][/url]--[url=http://www.eepw.com.cn/news/listbylabel/label/MOS%E7%AE%A1][i]MOS管[...
2015-07-29

--BBS主題帖: D類功率放大器的設計與實現

[font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體][b]關鍵字：信號變換短路保護互補對稱H橋低通濾波器 [/b][/font] [font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體][url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/D%C0%E0%B7%C5%B4%F3%C6%F7.HTM]D類放大器[/url]（數字音頻功率）是一種將輸入模擬音頻信號或...
2015-07-07

--BBS主題帖: 場效應管的檢測與測量（2）

二、.場效應管的使用注意事項（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道...
2015-06-30

--BBS主題帖: IGBT的驅動和過流保護電路的研究

[b]1 [/b][b]引言[/b]　　絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET與GTR的復合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開關頻率高、輸入阻抗高、驅動電路簡單、熱溫度性好的優點，又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項優點．是取代GTR的理想開關器件。IGBT目前被廣泛使...
2012-07-18

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