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本文要點・ 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。・ 發(fā)生雪崩擊穿時,會流過大電流,存在MOSFET失效的危險。・ MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。・dV/dt失效是MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB... (來源:技術文章頻道)
MOSFETdV/dt失效 2022-12-21 10:48
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