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應(yīng)用開發(fā)

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三星HBM4內(nèi)存進(jìn)入試生產(chǎn)階段：計(jì)劃2025年底量產(chǎn)

三星DS部門存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部最近完成了HBM4內(nèi)存的邏輯芯片設(shè)計(jì)。Foundry業(yè)務(wù)部方面也已經(jīng)根據(jù)該設(shè)計(jì)，采用4nm試產(chǎn)。 HBM，即高帶寬存儲(chǔ)器，憑借其卓越的性能，在高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）以及圖形處理（GPU）等前沿領(lǐng)域發(fā)揮著舉足輕重的作用。據(jù)知情人士透露，運(yùn)行時(shí)發(fā)熱一直是制約HBM發(fā)...
三星HBM4內(nèi)存 2025-01-06

奎芯科技亮相ICCAD 2024：技術(shù)突破與國(guó)際合作引領(lǐng)行業(yè)新高度

中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)界的年度盛會(huì)——ICCAD-Expo 2024在上海世博展覽館盛大舉行。本次大會(huì)以"智慧上海，芯動(dòng)世界"為主題，匯聚了6000余位全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)和行業(yè)專家。作為IP與Chiplet領(lǐng)域的先行者，奎芯科技在本次展會(huì)上展示了多項(xiàng)創(chuàng)新成果，并通過重量級(jí)演講和國(guó)際合作進(jìn)一步彰顯其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)力。奎...
奎芯科技ICCAD 2024 2024-12-13

NVIDIA下代GPU已提早半年開始準(zhǔn)備！用上3nm、芯片面積兩倍大

摩根士丹利最新研究報(bào)告指出，NVIDIA下一代Rubin GPU的供應(yīng)鏈已提前半年開始準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)推出時(shí)間從2026年上半年提前至2025年下半年。由于將用上3nm技術(shù)、CPO（共同封裝光學(xué)元件）和HBM4（第六代高頻寬內(nèi)存），新一代GPU的芯片面積將是上一代Blackwell的兩倍，摩根士丹利表示臺(tái)積電、京元電子、日月光將收...
nvidia芯片 2024-12-04

Rambus宣布推出業(yè)界首款HBM4控制器IP，加速下一代AI工作負(fù)載

新聞?wù)?#8226; 基于一百多項(xiàng)HBM成功設(shè)計(jì)案例，確保芯片一次流片成功• 在低延遲下提供超過HBM3兩倍的吞吐量，滿足生成式AI和高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載的需求• 擴(kuò)展了業(yè)界領(lǐng)先的高性能內(nèi)存解決方案的半導(dǎo)體IP產(chǎn)品組合圖1：Rambus HBM4控制器作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致...
RambusHBM4控制器IP 2024-11-14

新思科技攜手臺(tái)積公司助力萬億晶體管時(shí)代的人工智能和多芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)

經(jīng)過優(yōu)化的 EDA 和 IP 全面解決方案為臺(tái)積公司 N2 和 A16 工藝帶來強(qiáng)化的計(jì)算性能、功耗和工程生產(chǎn)力摘要：• 由Synopsys.ai賦能、可投入生產(chǎn)的人工智能驅(qū)動(dòng)EDA流程面向N2工藝可實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)先的結(jié)果質(zhì)量，并加速科技行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)遷移• 在臺(tái)積公司的A16工藝上開發(fā)全新背側(cè)電源交...
新思科技臺(tái)積公司晶體管 2024-10-09

AI三巨頭聯(lián)手！SK海力士、臺(tái)積電、NVIDIA共同開發(fā)下一代HBM

半導(dǎo)體行業(yè)的三大巨頭SK海力士、臺(tái)積電和NVIDIA即將展開深度合作，共同開發(fā)下一代高頻寬內(nèi)存技術(shù)（HBM）。這一合作計(jì)劃預(yù)計(jì)將在9月的中國(guó)臺(tái)灣國(guó)際半導(dǎo)體展（Semicon Taiwan）上正式宣布，屆時(shí)SK海力士社長(zhǎng)金柱善將發(fā)表專題演講。三方的合作將聚焦于HBM技術(shù)的研發(fā)，以期掌握AI服務(wù)器關(guān)鍵零組件的制高點(diǎn)，...
AIHBM 2024-08-26

三星成立新的HBM團(tuán)隊(duì)：推進(jìn)HBM3E和HBM4開發(fā)工作

三星公司近期宣布成立全新的“HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)”，這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著三星在高性能內(nèi)存（HBM）技術(shù)領(lǐng)域的雄心與決心邁入了一個(gè)新階段。該團(tuán)隊(duì)將專注于前沿技術(shù)的研發(fā)，特別是HBM3、HBM3E以及備受期待的下一代HBM4技術(shù)，旨在顯著提升三星在全球HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)份額。回顧過往，三星自2015年起便在...
HBMHBM3EHBM4 2024-07-08

消息稱三星電子 HBM 內(nèi)存開發(fā)部門雙軌化，新團(tuán)隊(duì)專責(zé) HBM4 開發(fā)

三星電子內(nèi)部已對(duì)其 HBM 內(nèi)存開發(fā)部門進(jìn)行“雙軌化”改造，以增強(qiáng)其在 HBM 業(yè)務(wù)上的競(jìng)爭(zhēng)力。具體而言，由現(xiàn)有 DRAM 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé) HBM3E 內(nèi)存的后續(xù)研發(fā)工作，而三月成立的 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注開發(fā)下一代 HBM 內(nèi)存 ——HBM4。新設(shè)立的 HBM 專門開發(fā)團(tuán)隊(duì)由三星電子 DRAM 開發(fā)副總裁 Hwang S...
三星電子HBM 2024-05-11

SK海力士宣布2026年量產(chǎn)HBM4：為下一代AI GPU做準(zhǔn)備

SK海力士表示，生成式AI市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年35%的速度增長(zhǎng)，而SK海力士有望在2026年大規(guī)模生產(chǎn)下一代HBM4。據(jù)了解，HBM類產(chǎn)品前后經(jīng)過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發(fā)，其中HBM3E是HBM3的擴(kuò)展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產(chǎn)品。HBM4堆棧...
SK海力士AI GPU 2024-02-05

三星正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨

三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計(jì)劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。他透露，三星電子還準(zhǔn)備針對(duì)高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的NCF（非導(dǎo)電粘合膜）組裝技術(shù)和HCB（混合鍵合）技術(shù)，以應(yīng)用于該產(chǎn)品。此外，三星還計(jì)劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù)，公司今年年初...
三星HBM4 2023-10-11

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