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三星電子400層NAND完成研發(fā)，已開始導(dǎo)入產(chǎn)線

目前，三星電子已在其半導(dǎo)體研究所成功完成400層NAND技術(shù)，并已于上月開始將這項先進技術(shù)轉(zhuǎn)移到平澤園區(qū)一號工廠的大規(guī)模生產(chǎn)線上。報道稱，三星電子計劃于明年2月在ISSCC上詳細(xì)發(fā)布其1Tb容量400層TLC NAND，其量產(chǎn)預(yù)計將于明年下半年開始。除了400層NAND，三星電子明年還將增加其先進產(chǎn)品線的產(chǎn)量。計...
三星電子400層NAND技術(shù) 2024-12-10

江波龍自研SLC NAND Flash累計出貨突破1億顆！

江波龍充分發(fā)揮自身芯片設(shè)計能力，持續(xù)積極投入存儲芯片設(shè)計業(yè)務(wù)，聚焦 SLC NAND Flash 等存儲芯片設(shè)計。SLC NAND Flash存儲器產(chǎn)品是應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)、便攜設(shè)備等消費、工業(yè)及汽車應(yīng)用場景的小容量存儲器。目前公司已有512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb共5種容量自研 SLC NAND Flash 存...
江波龍SLC NAND Flash 2024-11-15

三星首批面向AI時代的QLC第九代V－NAND啟動量產(chǎn)

三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項突破性技術(shù)，其中通道孔蝕刻技術(shù)能基于雙堆棧架構(gòu)實現(xiàn)最高單元層數(shù) 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，為各種AI應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案三星電子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式開始量產(chǎn)。三星半導(dǎo)體1TB QL...
V－NAND三星 2024-09-12

美光發(fā)力NAND：推出新款數(shù)據(jù)中心SSD和首款276層TLC NAND SSD

作者: 付斌AI大模型的爆火，使得算力獲得了巨量提升。而對大模型來說，算力、存儲、網(wǎng)絡(luò)三要素缺一不可，但凡其中之一跟隨不上發(fā)展，算力的全部能力便無法發(fā)揮。在做這種情況下，面對日益暴增的數(shù)據(jù)量和吞吐量要求，不僅要升級數(shù)據(jù)中心的SSD，還要升級邊緣端的SSD。日前，美光就推出了首款PCIe 5.0數(shù)據(jù)...
美光數(shù)據(jù)中心SSDTLC NAND SSD 2024-08-08

美光宣布量產(chǎn)第九代 NAND 閃存技術(shù)產(chǎn)品

業(yè)界領(lǐng)先的美光 2650 NVMe SSD（基于第九代 NAND 技術(shù)）已批量出貨美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開始出貨，成為業(yè)界首家實現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。美光 G9 NAND 技術(shù)具備高達(dá) 3.6 GB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，提供卓越的數(shù)據(jù)讀寫帶寬...
美光NAND 閃存技術(shù) 2024-07-31

Kioxia因3D NAND閃存發(fā)明榮獲FMS終身成就獎

公司開發(fā)團隊因研發(fā)了開創(chuàng)性的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)而受到表彰NAND閃存的發(fā)明者Kioxia Corporation榮獲2024年“FMS未來內(nèi)存和存儲終身成就獎”。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido和Hiroyasu Tanaka組成的Kioxia工程團隊將領(lǐng)取這一殊榮，以表彰其在3D閃存開發(fā)和商業(yè)化方面的...
KIOXIA3D NAND閃存 2024-07-30

三星啟動其首批第九代V－NAND閃存量產(chǎn)

比三星上一代產(chǎn)品提高約50%的位密度(bit density)通過先進的通道孔蝕刻技術(shù)（channel hole etching）提高生產(chǎn)效率近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。"我們很高興能推出三星首款第九代V-NAND，這將有機會推動未來應(yīng)用的飛躍發(fā)展。"三星電子...
三星V－NAND閃存 2024-04-24

消息稱三星電子本季度 NAND 閃存產(chǎn)能環(huán)比提升 30%，年內(nèi)維持約 50% 規(guī)模上限

三星電子本季度在韓國平澤和中國西安 NAND 生產(chǎn)線的晶圓投片量相較上季度提升約 30%。不過三星方面對進一步的增產(chǎn)持謹(jǐn)慎態(tài)度，以免影響到 NAND 價格的漲勢。在馬力全開的情況下，三星電子 NAND 閃存生產(chǎn)線季度晶圓投片量可超 200 萬片。而目前三星內(nèi)部對二至四季度的晶圓投片量均設(shè)下了 120 萬片的紅線...
三星電子NAND 2024-04-17

強震重創(chuàng)日本西海岸，東芝 NAND 閃存工廠暫時停產(chǎn)

新年第一天，一場強震襲擊日本西海岸，造成重大人員傷亡，還可能對電腦配件供應(yīng)產(chǎn)生影響。東芝宣布，由于需要進行安全評估，公司位于石川縣能美市的 NAND 閃存工廠將暫時停產(chǎn)。分析師預(yù)計，地震將對未來半導(dǎo)體供應(yīng)和價格產(chǎn)生影響。圖源：東芝 IT之家注意到，除了東芝，TrendForce 還指出，Taiyo Yud...
東芝NAND 閃存 2024-01-04

2023年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長2．9%，預(yù)估第四季成長將逾兩成

TrendForce集邦咨詢表示，第三季NAND Flash市場變化主要轉(zhuǎn)折點為三星（Samsung）積極減產(chǎn)的決策。此前買方認(rèn)為終端需求能見度仍低，擔(dān)憂市場旺季不旺，因此保持低庫存、緩提貨的采購策略。而隨著供給龍頭業(yè)者大幅減產(chǎn)，買方出于對供應(yīng)將顯著減少的預(yù)期心理因素，采購態(tài)度轉(zhuǎn)趨積極。第三季季底時NAND Fl...
NAND Flash 2023-12-05

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